[发明专利]一种用于电脑的限流保护调节电路无效
申请号: | 201310587407.4 | 申请日: | 2013-11-21 |
公开(公告)号: | CN103745168A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 黄友华 | 申请(专利权)人: | 成都市宏山科技有限公司 |
主分类号: | G06F21/70 | 分类号: | G06F21/70;G05F1/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 电脑 限流 保护 调节 电路 | ||
技术领域
本发明涉及电脑保护领域,更具体的说是涉及一种用于电脑的限流保护调节电路。
背景技术
电脑被广泛应用到各个方面,譬如视频会议、远程监控、办公作业等。其作为受电设备,其开关电源开始工作时,由于旁路微法级电容的接入,会产生浪涌电流,无限制的大电流将导致端口电压迅速下降,严重时会使电脑关断,使得电脑在接通和关断之间不断的切换,影响工作的稳定性。为了保证上电过程对充电电容的稳定充电和启动电路的稳定上升,大多采用电路限制电路的结构对输出功率管并联一个小的采样管,且源极接一个低阻值的负载电阻来完成电流采样,由于并联功率管栅源电压未完全相等,使得采样电流的精度不高,限流不稳定。
发明内容
本发明提供一种用于电脑的限流保护调节电路,其连接在电脑的开关电源上,其对电流的采样精度高,限流稳定,有效的对电脑进行保护。
为解决上述的技术问题,本发明采用以下技术方案:
一种用于电脑的限流保护调节电路,它包括第一端口和第二端口,所述的第一端口通过电阻R1连接在场效应管M1的漏极上,所述的第一端口还连接在场效应管M2的漏极上,所述的第二端口通过电阻R2同时与场效应管M1的栅极和三极管的集电极相连,所述的第二端口连接在场效应管M2的栅极上,所述的场效应管M1的源极接地,所述的场效应管M2的源极连接在三极管的发射极上,所述的三极管的基极通过电阻R3连接在集电极上,所述的三极管的发射极通过电阻R4与地连接,所述的场效应管M1和场效应管M2均为P型场效应管,所述的三极管为NPN型三极管。
更进一步的技术方案是:
作为优选,所述的电阻R1、电阻R2和电阻R4均为多晶硅电阻。
进一步的,所述的电阻R1的阻值与电阻R2的阻值相等。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明包括输出功率管、采样功率管和栅源比例电阻,场效应管M1和场效应管M2的栅源电压完全相等,对电流的采样精度高,限流稳定,有效的对电脑进行保护。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1为本发明的电路原理图。
图中的标号为:1、第一端口;2、第二端口。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例]
如图1所示的一种用于电脑的限流保护调节电路,它包括第一端口1和第二端口2,所述的第一端口1通过电阻R1连接在场效应管M1的漏极上,所述的第一端口1还连接在场效应管M2的漏极上,所述的第二端口通过电阻R2同时与场效应管M1的栅极和三极管的集电极相连,所述的第二端口2连接在场效应管M2的栅极上,所述的场效应管M1的源极接地,所述的场效应管M2的源极连接在三极管的发射极上,所述的三极管的基极通过电阻R3连接在集电极上,所述的三极管的发射极通过电阻R4与地连接,所述的场效应管M1和场效应管M2均为P型场效应管,所述的三极管为NPN型三极管。
本发明在使用时连接在电脑的电源开关上。本发明中,场效应管M1为采用功率管,场效应管M2为输出功率管,场效应管M1和场效应管M2组成共栅共源电路,其作为三极管的有源负载。电阻R3为三极管提供导通压降,电阻R1和电阻R2起分压作用,使场效应管M1相较于场效应管M2有合理的电压差。采样电流经电阻R4转换为采用电压,调节三极管集电极电压,即可调节输出功率管的栅极电压达到控制输出电流大小的目的。比例电阻R4的电流会随着输出功率管栅极电压的变化而变化,保证场效应管M1栅源电压和场效应管M2栅源电压一致,限流稳定,从而达到精确采用电流的目的,使得该电路对电流的采用精度得到提高。
为了提高对电路的采用精度,所述的电阻R1、电阻R2和电阻R4均为多晶硅电阻。电阻R1、电阻R2和电阻R4均为多晶硅电阻,可增强其匹配性,使得精度高。
为了提高对电路的采用精度,所述的电阻R1的阻值与电阻R2的阻值相等。电阻R1和电阻R2起分压作用,使场效应管M1相较于场效应管M2有合理的电压差,电阻R1的阻值与电阻R2的阻值相等,使得电压差相等,即可使电流采样精度得到提高。
如上所述即为本发明的实施例。本发明不局限于上述实施方式,任何人应该得知在本发明的启示下做出的结构变化,凡是与本发明具有相同或相近的技术方案,均落入本发明的保护范围之内。
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