[发明专利]一种W波段IMPATT二极管阻抗匹配引脚及其制备方法有效
| 申请号： | 201310588210.2 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103594445A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 潘结斌;陈计学;展明浩;房立峰;朱小燕;吕东锋 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L21/48 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233042 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 波段 impatt 二极管 阻抗匹配 引脚 及其 制备 方法 | ||
1.一种W波段IMPATT二极管阻抗匹配引脚，其特征在于，所述引脚由四个相同大小的梯形金属片相互连接成十字形，每个梯形金属片的上底边向内、下底边向外；所述引脚还包含设于十字中心连接梯形金属片的连接片(5)；所述连接片(5)与四个梯形金属片为一体化结构；所述连接片(5)的底面与W波段IMPATT二极管(10)的管芯(7)固定连接，所述四个梯形金属片的下底边与W波段IMPATT二极管(10)的红宝石介质环(8)固定连接。
2.根据权利要求1所述一种W波段IMPATT二极管阻抗匹配引脚的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤:
a）将衬底基片通过硫酸与过氧化氢的混合溶液进行清洗，硫酸与过氧化氢的体积比为3:1，然后采用氢氟酸与水的混合试剂对清洗后的衬底基片去除氧化层，氢氟酸与水的体积比为1:5；之后将去除氧化层的衬底基片用等离子水进行冲洗，去除氢氟酸；
b）将衬底基片置于真空电子束蒸发装置中，采用450℃，在衬底基片表面连续电子束蒸发Cr-Cu-Cr金属层；
c）采用正性光刻胶，使用旋转涂胶法对衬底基片表面均匀涂胶，胶厚1.0±0.1μm；将涂好光刻胶的衬底基片放入充氮烘箱中，在90±5℃的温度下烘烤30±2min；之后用十字形光刻掩膜版将衬底基片在光刻机上进行图形套准曝光；使用显影液对曝光后的衬底基片进行显影，然后用等离子水对显影后的衬底基片进行冲洗，去除显影液；之后将冲洗过的衬底基片放入充氮烘箱中，在120±5℃的温度下烘烤30±2min；
d）采用金属湿法化学腐蚀工艺对衬底基片表面的曝光区进行腐蚀处理，得到W波段IMPATT二极管(10)的阻抗匹配引脚(6)的十字形区域；
e）采用微电镀工艺在衬底基片表面形成的十字形区域上电镀形成10～12μm厚的金属层；
f）将金属层从衬底基片上剥离，得到呈十字形的W波段IMPATT二极管(10)的阻抗匹配引脚(6)；
g）将阻抗匹配引脚(6)置于温度为400±10℃的氢气退火炉进行退火处理。
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