[发明专利]硅片的清理方法及减反射膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310588900.8 | 申请日： | 2013-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN103606594B | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 马红娜;安海娇;赵学玲 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 吴贵明,张永明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 清理 方法 减反射膜 制备 | ||
1.一种硅片的清理方法，其特征在于，所述清理方法包括：
步骤S1，将硅片置于PECVD设备的工艺腔中进行预热至预定温度，所述预定温度为150～250℃；
步骤S2，向硅片的表面通入卤化氢气体，并使所述卤化氢气体发生等离子体化。
2.根据权利要求1所述的清理方法，其特征在于，所述卤化氢为HCl，所述HCl气体的流量为200～2000sccm、温度为250～450℃，所述步骤S2持续的时间为10～500s。
3.根据权利要求2所述的清理方法，其特征在于，所述步骤S2持续的时间为30～300s。
4.根据权利要求1所述的清理方法，其特征在于，在所述步骤S2使所述卤化氢气体发生等离子体化过程中施加脉冲宽度为5～25ms、功率为800～2000W的微波。
5.根据权利要求1所述的清理方法，其特征在于，所述PECVD设备为板式PECVD设备或管式PECVD设备。
6.一种减反射膜的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
采用权利要求1至5中任一项所述的清理方法清理硅片；
在所述硅片的表面沉积所述减反射膜。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述减反射膜为氮化硅膜，所述沉积减反射膜的步骤采用PECVD工艺实施，并与所述清理硅片的步骤在同一个PECVD设备中实施。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述沉积减反射膜的步骤包括向所述硅片的正表面通入流量比1.8:1～4:1氨气和硅烷。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述氨气的流量为500～2000sccm，持续时间为1～5min，沉积温度为300～550℃，沉积压强为0.15～0.45mbar。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述氨气的流量为900～1800sccm。
11.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，设定所述PECVD设备所发出的微波的脉冲宽度为5～25ms、功率为500～2000W。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
