[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201310589065.X 申请日: 2013-11-20
公开(公告)号: CN104659225A 公开(公告)日: 2015-05-27
发明(设计)人: 周明杰;黄辉;张振华;王平 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于有机电致发光领域,具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件(OLED)是一种以有机材料为发光材料,能把施加的电能转化为光能的能量转化装置。它具有超轻薄、自发光、响应快、低功耗等突出性能,在显示、照明等领域有着极为广泛的应用前景。

有机电致发光器件的结构为三明治结构,在阴极和导电阳极之间夹有一层或多层有机薄膜。在含多层结构的器件中,两极内侧主要包括发光层、注入层及传输层。有机电致发光器件是载流子注入型发光器件,在阳极和阴极加上工作电压后,空穴从阳极,电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中,两种载流子在有机发光材料中复合形成空穴-电子对发光,然后光从电极发出。

在传统的发光器件中,电子传输速率比空穴传输速率低,使得激子复合几率偏低,并且复合的区域不在发光区域内,因此发光效率较低。

发明内容

为了解决上述问题,本发明通过对电子注入层进行优化,从而提高电子传输速率,提供一种具有较高出光效率的有机电致发光器件。本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法。

第一方面,本发明提供了一种有机电致发光器件,包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,所述电子注入层的材质为钠盐、第一有机材料与第二有机材料按照质量比1:10:0.1~3:5:0.1混合形成的混合物;其中,

所述钠盐选自氯化钠、氟化钠、碳酸钠和硫化钠中的一种;

所述第一有机材料选自2,4,6-三(N-苯基-1-萘氨基)-1,3,5-三嗪(TRZ4)、2,6-二(3-(9H-咔唑-9-基)苯)吡啶(2,6Dczppy)、3',3''-(4-(萘-1-基)-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基)双(N,N-二(联苯基)-4-氨)(p-TPAm-NTAZ)和2,5-双(4-(9-(2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1,3,4-噁二唑(CzOXD)中的一种;

所述第二有机材料选自2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷(F4-TCNQ)、4,4,4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺(1T-NATA)和二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺(2T-NATA)中的一种。

本发明电子注入层的材质选用的钠盐熔点较低,极易蒸镀,成膜性好,而且功函数较高,与电子传输材料的LUMO能级比较接近,可降低电子传输层与金属阴极之间的电子的注入势垒,提高电子注入能力。

第一有机材料是双极性有机传输材料,具有传输空穴与传输电子的作用,可提高电子的传输速率同时降低与相邻层之间的电子注入势垒,提高电子注入效率。由于具有较低的HOMO能级,因此可阻止空穴穿越到阴极而造成空穴淬灭。第二有机材料是空穴注入材料,HOMO能级很低,可阻挡空穴穿越到阴极一端与电子发生复合而发生淬灭,利于提高器件的发光效率。

钠盐、第一有机材料与第二有机材料按照质量比1:10:0.1~3:5:0.1混合。即钠盐与第二有机材料的质量比为1~3:0.1,且第一有机材料与第二有机材料的质量比为5~10:0.1。

优选地,电子注入层的厚度为20~50nm。

玻璃基底为普通市售玻璃。

优选地,阳极的材质为透明导电薄膜,选自铟锡氧化物(ITO)、铝锌氧化物(AZO)或铟锌氧化物(IZO)。更优选地,阳极的材质为ITO。

优选地,阳极的厚度为50~300nm。更优选地,阳极的厚度为105nm。

优选地,空穴注入层的材质为三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5)。更优选地,空穴注入层的材质为MoO3

优选地,空穴注入层的厚度为20~80nm。更优选地,空穴注入层的厚度为48nm。

优选地,空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)。更优选地,空穴传输层的材质为TCTA。

优选地,空穴传输层的厚度为20~60nm。更优选地,空穴传输层的厚度为52nm。

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