[发明专利]晶片堆迭结构的洗净方法及洗净设备无效

专利信息
申请号: 201310589200.0 申请日: 2013-11-20
公开(公告)号: CN104624548A 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 黄富源;张修凯;王玺钧;王志成 申请(专利权)人: 弘塑科技股份有限公司
主分类号: B08B3/08 分类号: B08B3/08;B08B3/04
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 于宝庆
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 晶片 结构 洗净 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种晶片堆迭结构的洗净方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供一晶片堆迭结构,该晶片堆迭结构具有至少一位于晶片与基板之间的微小间隙,该微小间隙具有可让液体流通的一流入侧及一流出侧;以及

提供一化学清洗液,并使该化学清洗液从所述流入侧进入所述微小间隙,且自所述流出侧排出。

2.根据权利要求1的晶片堆迭结构的洗净方法,其中在所述提供一化学清洗液的步骤中,以一供液装置将所述化学清洗液施加于所述基板上,并使所述化学清洗液沿着所述基板从所述流入侧进入所述微小间隙,以及以一抽液装置驱使所述化学清洗液流通过所述微小间隙并自所述流出侧排出。

3.根据权利要求1的晶片堆迭结构的洗净方法,其中在所述提供一化学清洗液的步骤之后,还包括一纯水清洗步骤,使纯水从所述流入侧进入所述微小间隙,且自所述流出侧排出,以带走所述微小间隙内的所述化学清洗液。

4.根据权利要求3的晶片堆迭结构的洗净方法,其中在所述纯水清洗步骤之后,还包括一干燥步骤,用以移除所述晶片堆迭结构上残留的纯水。

5.一种洗净设备,用于去除一晶片堆迭结构上残留的助焊剂,其中该晶片堆迭结构具有至少一位于所述晶片与基板之间的微小间隙,且所述微小间隙具有可让液体流通的一流入侧及一流出侧,其特征在于,所述洗净设备包括:

一清洗腔室;

一承载平台,设置于所述清洗腔室内;

一供液装置,设置于所述承载平台的上方,用以将一化学清洗液施加于所述基板上,并使所述化学清洗液沿着所述基板从所述流入侧进入所述微小间隙;及

一抽液装置,设置于所述承载平台的上方,用以驱使所述化学清洗液流通过所述微小间隙并自所述流出侧排出,以完全带走残留于所述微小间隙内的助焊剂。

6.根据权利要求5的洗净设备,其中所述供液装置包括一输液管及与该输液管相连通的一喷嘴,所述抽液装置包括一排液管及与该排液管相连通的一抽液座。

7.根据权利要求6的洗净设备,其中所述抽液座的底端进一步设有一滑移结构。

8.根据权利要求7的洗净设备,其中所述滑移结构为一滚轮型滑动结构或一毛刷型滑动结构。

9.根据权利要求5的洗净设备,更包括一加热装置,该加热装置设置于所述承载平台的下方。

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