[发明专利]一种多次可程序化互连矩阵及其规划方法

权利要求书

1.一种多次可程序化互连矩阵，其特征在于，所述多次可程序化互连矩阵包含：

多个非易失性存储器单元，被配置为具有行与列的电路组态，各所述非易失性存储器单元具有一源极、一漏极、一浮动栅、一控制栅和一通道区，位于同一行的非易失性存储器单元的控制栅形成一相对应控制栅线，位于同一列的非易失性存储器单元的漏极形成一相对应位线，位于同一行的所述多个非易失性存储器单元被分为多个单元配对以致于各所述单元配对分享一共源极并连接至两条相邻位线，位于同一行中的所述多个非易失性存储器单元的所述共源极形成一相对应源极线，在每一程序化周期后，所述多个非易失性存储器单元被规划成多个抹除单元和多个被程序化单元；

多个第一切换器和多个第二切换器分别设在多条所述位线的第一端和第二端；以及

多个第三切换器和多个第四切换器分别设在多条所述源极线的第一端和第二端；

其中当将多条所述控制栅线被偏压时，所述多个抹除单元和所述多个被程序化单元的电传导状态取决于所述多个非易失性存储器单元的电传导型。

2.根据权利要求1所述的多次可程序化互连矩阵，其特征在于，回应一第一控制信号，所述多个第一切换器被规划以连接多条所述位线至多个第一外部汇流排线，其中回应一第二控制信号，所述多个第二切换器被规划以连接多条所述位线至多个第二外部汇流排线，其中回应一第三控制信号，所述多个第三切换器被规划以连接多条所述源极线至多个第三外部汇流排线，以及，其中回应一第四控制信号，所述多个第四切换器被规划以连接多条所述源极线至多个第四外部汇流排线。

3.根据权利要求2所述的多次可程序化互连矩阵，其特征在于，所述多个第一切换器、所述多个第二切换器、所述多个第三切换器和所述多个第四切换器为金属氧化物半导体场效应晶体管。

4.根据权利要求1所述的多次可程序化互连矩阵，其特征在于，当所述多个非易失性存储器单元是N型且以一第一栅电压偏压各所述控制栅线时，具一第一阈值电压的所述多个抹除单元为导通，而具一第二阈值电压的所述多个被程序化单元为切断，以及其中所述第一栅电压大于所述第一阈值电压且小于所述第二阈值电压。

5.根据权利要求4所述的多次可程序化互连矩阵，其特征在于，当一第二栅电压被施加至一被选择源极线的对应控制栅线时，所述被选择源极线与全部位线切断，其中所述第二栅电压低于所述第一阈值电压。

6.根据权利要求4所述的多次可程序化互连矩阵，其特征在于，当一被选择源极线及一被选择位线的对应非易失性存储器单元在一被程序化状态时，所述被选择源极线与所述被选择位线之间为断接状态。

7.根据权利要求1所述的多次可程序化互连矩阵，其特征在于，当所述多个非易失性存储器单元为P型且全部控制栅线和一井电极被偏压至一操作电压时，所述多个抹除单元为切断状态，而所述多个被程序化单元为导通状态。

8.根据权利要求7所述的多次可程序化互连矩阵，其特征在于，当一个大于所述操作电压的栅电压被施加至一被选择源极线对应的控制栅线时，所述被选择源极线与全部位线断接。

9.根据权利要求7所述的多次可程序化互连矩阵，其特征在于，当一被选择源极线及一被选择位线对应的非易失性存储器单元在一程序化状态时，所述被选择源极线连接至所述被选择位线。