[发明专利]一种电动汽车用的DC/DC电源系统无效

专利信息
申请号: 201310589495.1 申请日: 2013-11-20
公开(公告)号: CN103595256A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 李汉平;刘金强;陈小江;刘爱华 申请(专利权)人: 深圳市航盛电子股份有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 代理人: 胡玉
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电动汽车 dc 电源 系统
【权利要求书】:

1.一种电动汽车用的DC/DC电源系统,其特征在于,所述DC/DC电源系统包括直流高压供电模块、直流低压供电模块、隔离模块、移相全桥模块、同步整流控制模块、辅助电源模块及主控模块,所述直流高压供电模块输出端连接所述移相全桥模块输入端,所述移相全桥模块输出端连接所述隔离模块输入端,所述隔离模块输出端连接所述同步整流控制模块输入端,所述同步整流控制模块输出端连接所述直流低压供电模块输入端,所述直流低压供电模块输出端连接所述辅助电源模块输入端,所述辅助电源模块输出端连接所述主控模块输入端,所述主控模块输出端分别连接所述移相全桥模块、同步整流控制模块输入端。

2.根据权利要求1所述的DC/DC电源系统,其特征在于,所述移相全桥模块包括MOSFET管Q1、MOSFET管Q2、MOSFET管Q3、MOSFET管Q4、谐振电路、续流二极管D1及续流二极管D2,所述MOSFET管Q1源极连接所述MOSFET管Q2漏极,所述MOSFET管Q1漏极连接所述直流高压供电模块输出端,所述MOSFET管Q2源极连地,所述MOSFET管Q3源极连接所述MOSFET管Q4漏极,所述MOSFET管Q3漏极连接所述直流高压供电模块输出端,所述MOSFET管Q4源极连地,所述谐振电路连接所述MOSFET管Q1源极连接所述MOSFET管Q2漏极的节点上,所述续流二极管D1阳极与所述续流二极管D2阴极串联,所述续流二极管D2阳极接地。

3.根据权利要求2所述的DC/DC电源系统,其特征在于,所述谐振电路包括电容C2及电感L1,所述电容C1与所述电感L1串联,所述电容C1连接所述MOSFET管Q1源极连接所述MOSFET管Q2漏极的节点上。

4.根据权利要求3所述的DC/DC电源系统,其特征在于,所述同步整流控制模块包括MOSFET管Q5、MOSFET管Q6、电感L2、电容C3、电容C4及电阻R3,所述MOSFET管Q5源极连接电阻R3,所述MOSFET管Q6源极连接电阻R3,所述电感L2分别连接所述电容C3及电容C4,所述电容C3另一端接地,所述电容C4与所述电阻R3串联,所述电感L2输出低压检测电压给所述主控模块输入端,所述电阻R3输出低压检测电流给所述主控模块输入端。

5.根据权利要求4所述的DC/DC电源系统,其特征在于,所述隔离模块还包括主变压器T1,所述主变压器T1原边初级线圈同名端连接所述电感L1,异名端连接所述续流二极管D1阳极与所述续流二极管D2阴极串联节点上,所述主变压器副边包括第一次级线圈及第二次级线圈,所述第一次级线圈异名端连接所述第二次级线圈同名端,所述第一次级线圈同名端连接所述MOSFET管Q6漏极,所述第二次级线圈同名端连接所述电感L2,所述第二次级线圈异名端连接所述MOSFET管Q5漏极。

6.根据权利要求5所述的DC/DC电源系统,其特征在于,该电源系统还包括高压电流检测模块,所述高压电流检测模块输入端连接所述直流高压供电模块输出端,所述高压电流检测模块输出端连接所述主控模块输入端。

7.根据权利要求6所述的DC/DC电源系统,其特征在于,所述高压电流检测模块包括电流互感器T2、电阻R1、电阻R2及二极管D3,所述电流互感器T2原边一端连接所述直流高压供电模块输出端,另一端连接所述续流二极管D1阴极,所述电阻R1、电阻R2分别连接与所述电流互感器T2副边并联,所述二极管D3阳极连接所述电阻R1一端,所述二极管D3阴极连接所述电阻R2一端,所述电阻R2输出检测电流给所述主控模块输入端。

8.根据权利要求7所述的DC/DC电源系统,其特征在于,该电源系统还包括保险丝F1及高压电压检测模块,所述高压电压检测模块包括电容C1,所述保险丝F1一端连接所述直流高压供电模块输出端,另一端分别连接所述MOSFET管Q1、MOSFET管Q3的源极及电流互感器T1输入端,所述电容C1一端连接所述保险丝F1,另一端接地,所述电容C1输出高压检测电压给所述主控模块输入端。

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