[发明专利]一种防过热漏电保护断路器

说明书

技术领域

本发明涉及一种断路器电路，特别是涉及一种防过热漏电保护断路器。

背景技术

随着社会的发展，人们对电器的使用要求也越来越高，电器的使用保护也越发重视，由于断路器能够关合、承载和开断正常回路条件下的电流，并能关合、在规定的时间内承载和开断异常回路条件(包括短路条件)下的电流的开关装置，因而断路器成为生活中必不可少的装置。

发明内容

本发明的目的是提供一种可以防止温度过高而影响电器使用的防漏电保护断路器，结构简单，安全性高。

本发明的目的通过下述技术方案实现：一种防过热漏电保护断路器，包括防过热保护电路和漏电保护电路，所述防过热保护电路分别连接内部的电压U和漏电保护电路，在温度过高时保护后续电路，所述漏电保护电路检测电压的同时驱动漏电保护断路器动作从而断开被保护电路的电源，实现漏电保护功能。

进一步的技术方案是，所述防过热保护电路包括NMOS管、电阻R1和三极管Q2，所述NMOS管的Q1的源极连接电压U的正极，NMOS管Q1的栅极连接电阻R1的一端和基准电源VGND，电阻R1的另一端连接三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的发射极连接电压U的负极，三极管Q2的基极连接基准电源VGND，当NMOS管在温度适当的情况下，源极和漏极之间为导通状态，当温度过高时，三极管Q2的基极和发射极之间的电降低，使得三极管Q2导通，从而拉低NMOS管Q1的栅极电平，使得NMOS管Q1关闭，即断开了端口和可变电阻RP1之间的连接。

进一步的技术方案是，所述漏电保护电路包括NMOS管、三极管Q1、电阻R1、R2、R3、R4、R5、电容C1、C2、C3、C4、稳压管ZD1、ZD2、整流二极管D1、D2、可调电阻RP1、电压检测器IC1、磁线圈L、电压检测器IC1、可控硅SCR，所述电容C1的一端连接NMOS管Q1的漏极，另一端连接电压U的负极，所述稳压二极管ZD1、ZD2串联后并联至电容C1两端，从而保护后续电路的使用，所述电阻R2和可调电阻RP1串联后并联至C1电容两端，从而实现调节漏电电流值的功能，所述电容C2的一端连接NMOS管的漏极，另一端分别连接二极管D1的负极和D2的正极，所述二极管D1的正极连接电压U的负极，所述二极管D2的负极分别连接有极性的电容C3的正极和磁线圈L的一端，所述电容C3的负极连接电压U的负极，所述磁线圈L的另一端连接可控硅SCR的阳极，所述可控硅SCR的阴极连接电压U的负极，控制极连接电阻R5的一端，所述电阻R5的另一端连接电压检测器IC1的输出端，所述电压检测器IC1的两个输入端并联电容C4后分别连接至电阻R4的两端，所述电阻R4的一端连接电压U的负极，另一端连接电阻R3的一端，所述电阻R3的另一端连接电容C3的正极，通过电容C2、二极管D1和D2组成的电路对电压U升压后，对电容C3进行充电，同是电阻R4的两端即电压检测器IC1的输入端之间出现电位差，当电阻R4两端电位差达到电压检测器IC1的检测电压时，电压检测器IC1输出一个信号并经过电阻R4后输入到可控硅SCR的触发极，触发可控硅SCR导通，使电容C3和磁线圈L形成放电回路，驱动与磁线圈L匹配的脱扣动作，即驱动漏电保护断路器动作而断开被保护电路的电源，从而实现漏电保护功能。

本发明的有益效果是：具有防过热和防漏电的断路器，可以有效的保护使用者的用电安全，结构简单且安全性高。

附图说明

图1为本发明一种防过热漏电保护断路器的电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。

一种防过热漏电保护断路器，包括防过热保护电路和漏电保护电路，所述防过热保护电路分别连接内部的电压U和漏电保护电路，在温度过高时保护后续电路，所述漏电保护电路检测电压的同时驱动漏电保护断路器动作从而断开被保护电路的电源，实现漏电保护功能。

所述防过热保护电路包括NMOS管、电阻R1和三极管Q2，所述NMOS管的Q1的源极连接电压U的正极，NMOS管Q1的栅极连接电阻R1的一端和基准电源VGND，电阻R1的另一端连接三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的发射极连接电压U的负极，三极管Q2的基极连接基准电源VGND，当NMOS管在温度适当的情况下，源极和漏极之间为导通状态，当温度过高时，三极管Q2的基极和发射极之间的电降低，使得三极管Q2导通，从而拉低NMOS管Q1的栅极电平，使得NMOS管Q1关闭，即断开了端口和可变电阻RP1之间的连接。