[发明专利]一种N型晶体硅太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种N型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1) 采用N型单晶硅为衬底，将硅片进行清洗、制绒；

(2) 在上述硅片的背面的电极区域印刷硼浆，烘干、退火后形成硼掺杂PN结，同时在硅片背面形成氧化层；

(3) 将上述硅片背靠背进行单面磷扩散，硅片的正面为扩散面；

(4) 对上述硅片的背面进行局部刻蚀，去除非电极区域的氧化层，保留电极区域的氧化层；

(5) 清洗，去除硅片正反面的杂质玻璃层；

(6) 在上述硅片的正面沉积钝化减反射膜；

(7) 在上述硅片的背面的非电极区印刷铝浆，形成铝背结，烘干；

(8) 在硅片的正面印刷正面电极，在硅片的背面的电极区印刷背面电极，烘干；即可得到N型晶体硅太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的N型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)和(5)之间还设有如下步骤：以硅片背面的电极区域的氧化层为掩膜，对硅片背面的非电极区进行抛光处理。

3.根据权利要求1所述的N型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(6)中，在硅片的正面依次沉积氧化硅、氮化硅，形成钝化减反射膜。

4.根据权利要求1所述的N型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，N型单晶硅衬底的电阻率为3~12 Ω·cm，厚度为170~200微米，少子寿命为1~3 ms。

5.根据权利要求1所述的N型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，烘干温度为200~300℃、带速250~350 cm/min。

6.根据权利要求1所述的N型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，退火温度为900~940℃、时间25~40 min，方块电阻为50~60 Ω/sq。

7.根据权利要求1所述的N型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，磷扩散温度为810~840℃，时间为20~30 min，扩散后方块电阻的范围控制在55~75 Ω/sq。