[发明专利]一种三氧化钼四方纳米片的制备方法

权利要求书

1.一种三氧化钼四方纳米片的制备方法,其特征在于步骤如下：

（1）前驱体MoS₂纳米材料制备：

将钼源、硫源及还原剂溶于溶剂中，通过离心搅拌使其均匀的分散到溶液中，移入不锈钢反应釜，密封，恒温100℃～300℃反应24h后，冷却至室温，得到反应产物，分离反应产物，洗涤、干燥，得到前驱体MoS₂纳米材料；

（2）有氧退火烧结合成MoO₃四方纳米片：

将合成的MoS₂纳米材料置于管式炉中，在空气或氧气气氛中，300℃～600℃下退火0.5～5h得到MoO₃四方纳米片，厚度在100-150nm，大小1～2μm。

2.根据权利要求1所述的三氧化钼四方纳米片的制备方法,其特征在于步骤（1）中所述的钼源为钼酸钠、钼酸铵或六羰基钼之；硫源为硫化钠、硫化钾或硫脲；还原剂为柠檬酸或抗坏血酸；所述溶剂为去离子水、乙醇或乙二醇。

3.根据权利要求1所述的三氧化钼四方纳米片的制备方法,其特征在于所述的钼源与硫源的物质的量之比为1：2-1：4；钼源与还原剂的物质的量之比为1：1-1：3。