[发明专利]边缘光滑的半导体衬底的制备方法

权利要求书

1.一种边缘光滑的半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一第一衬底及第二衬底；  在第一衬底和/或第二衬底的表面形成绝缘层； 以绝缘层为中间层，将第一衬底与第二衬底键合在一起； 对键合后的第一衬底及绝缘层实施倒角处理； 对倒角处理后的第一衬底及绝缘层实施边缘抛光。

2.根据权利要求1所述的边缘光滑的半导体衬底的制备方法，其特征在于，在第一衬底和/或第二衬底的表面形成绝缘层之前，包括一对第一衬底及第二衬底进行修正的步骤，以减小第一衬底及第二衬底厚度偏差。

3.根据权利要求1所述的边缘光滑的半导体衬底的制备方法，其特征在于，键合步骤后，进一步包括一对键合后衬底实施退火的步骤。

4.根据权利要求1所述的边缘光滑的半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述倒角处理采用的方法选自于机械研磨、腐蚀中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的边缘光滑的半导体衬底的制备方法，其特征在于，倒角步骤后，进一步包括一对第一衬底减薄的步骤，所述减薄方法选自于机械研磨、腐蚀、化学机械研磨中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的边缘光滑的半导体衬底的制备方法，其特征在于，边缘抛光步骤后，进一步包括一对第一衬底表面抛光的步骤。

7.根据权利要求1所述的边缘光滑的半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述第一衬底的表面进一步制作有器件层。