[发明专利]低翘曲度的半导体衬底的制备方法

权利要求书

1.一种低翘曲度的半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供第一衬底及第二衬底，所述第一衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有第一绝缘层，所述第二表面上设置有第二绝缘层，所述第二衬底包括支撑层、支撑层表面的氧化层以及氧化层表面的器件层； 以器件层及第一绝缘层为中间层，将第一衬底与第二衬底键合在一起； 在所述第二绝缘层表面粘贴形成一保护层，所述第二绝缘层和保护层的作用在于调整所述半导体衬底的翘曲度。

2.根据权利要求1所述的低翘曲度的半导体衬底，其特征在于，所述保护层为蓝膜，所述第一绝缘层和第二绝缘层的材料各自独立地选自于氧化硅、氮化硅、以及氮氧化硅的任意一种。

3.根据权利要求1所述的低翘曲度的半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述键合步骤后，进一步包括一对键合后的衬底实施退火的步骤。

4.根据权利要求1所述的低翘曲度的半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述键合步骤后，进一步包括一对第二衬底进行减薄的步骤，以去除所述支撑层。

5.根据权利要求4所述的低翘曲度的半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述减薄步骤之后，进一步包括一腐蚀步骤，以去除所述氧化层。

6.根据权利要求4所述的低翘曲度的半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述减薄采用的方法选自于机械研磨、化学机械抛光中的一种或两种。

7.根据权利要求1所述的低翘曲度的半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述键合步骤后，进一步包括一对第二衬底及第一绝缘层实施倒角的步骤。