[发明专利]中红外波段宽频带周期吸波材料有效
申请号: | 201310590795.1 | 申请日: | 2013-11-20 |
公开(公告)号: | CN103913788A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 邓龙江;张楠;周佩珩;陈良;谢建良 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G02B5/00 | 分类号: | G02B5/00 |
代理公司: | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人: | 刘勋 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外 波段 宽频 周期 材料 | ||
1.中红外波段宽频带周期吸波材料,包括底层金属薄膜和置于底层金属薄膜上的图形化谐振吸波层,其特征在于,所述谐振吸波层至少包括两个重叠的谐振层,每个谐振层包括介质层和金属层,各谐振层的介质层材料的介电常数值依次增高或降低。
2.如权利要求1所述的中红外波段宽频带周期吸波材料,其特征在于,所述图形化的谐振吸波层为吸波单元阵列,每个吸波单元由5个矩形复合贴片构成,其中,第一、第二矩形复合贴片为长方形,第三矩形复合贴片为正方形,吸波单元即由两个横向和两个纵向的矩形贴片围绕中心正方形贴片构成。阵列的横向、纵向周期长度皆为P,第一、第二矩形复合贴片的边长分别为L1和L2,第三矩形复合贴片的边长为L3,其中,4μm≤P≤6μm,1.5μm≤L1≤2μm,1.2μm≤L2≤1.6μm,1.3μm≤L3≤1.8μm,且L2<L3<L1。
3.如权利要求1所述的中红外波段宽频带周期吸波材料,其特征在于,共有两个谐振层,其中,两个介质层的材料分别为Al2O3和Y2O3,或者Al2O3和MgF2,或者Al2O3和ZnS,或者Y2O3和ZnS,或者Y2O3和ZnSe。
4.如权利要求1所述的中红外波段宽频带周期吸波材料,其特征在于,共有三个谐振层,其中,三个介质层的材料分别为MgF2、Al2O3和Y2O3,或者MgF2、Al2O3和ZnS,或者Al2O3、Y2O3和ZnS。
5.如权利要求1所述的中红外波段宽频带周期吸波材料,其特征在于,所述金属层的材料为金、银或者铝。
6.如权利要求1所述的中红外波段宽频带周期吸波材料,其特征在于,金属薄膜为厚度100nm的连续Al薄膜,其上为两个谐振层结构,下层谐振层中的介质为厚度100nm的Y2O3薄膜,其介电常数实部为3.21,上层谐振层中的介质为厚度150nm的Al2O3薄膜,其介电常数实部为2.28,且两谐振层中的金属贴片层厚度皆为50nm,阵列的横向、纵向周期皆为P=4.7μm,谐振单元内贴片尺寸L1=1.7μm,L2=1.5μm,L3=1.6μm。
7.如权利要求1所述的中红外波段宽频带周期吸波材料,其特征在于,金属薄膜为厚度100nm的连续Al薄膜,其上为两个谐振层结构,下层谐振层中的介质为厚度100nm的Al2O3薄膜,其介电常数实部为2.28,上层谐振层中的介质为厚度150nm的MgF2薄膜,其介电常数实部为1.75,并且两谐振层中的金属贴片层厚度皆为50nm,阵列的横向、纵向周期皆为P=4.7μm,谐振单元内贴片尺寸L1=1.7μm,L2=1.5μm,L3=1.6μm。
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