[发明专利]一种金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延方法无效
| 申请号： | 201310590963.7 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103668448A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 王仍;焦翠灵;徐国庆;杨晓阳;张可峰;张莉萍;林杏潮;陆液;杜云辰;邵秀华;李向阳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/48 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 型碲镉汞 材料 外延 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延方法，其特征在于：
通过对衬底进行专门的金掺杂处理之后，利用等温气相外延方法实现金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延生长；
所述的金掺杂处理方法为：首先对衬底进行热三氯甲烷三次热浴，每次1～2min；热乙醇三次热浴，每次1～2min；然后对衬底进行2%Br甲醇溶液腐蚀60s，无水乙醇反复清洗3遍，匀胶机甩干；最后2‰金溶液处理10s，大量去离子水清洗，匀胶机甩干备用；
所述的金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延生长方法为：利用等温气相外延方法实现金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延生长，即上述金掺杂处理准备的衬底作为外延衬底，放入气相外延设备里，利用等温气相外延原理，进行碲镉汞的气相外延生长，生长温度500℃，生长时间4h，退火温度350℃，生长时间2h，共计6h。
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