[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、生长在所述衬底上的低温缓冲层、非掺杂的氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，所述多量子阱层为超晶格结构，所述超晶格结构包括交替生长的量子阱层和量子垒层，其特征在于，

从所述N型氮化镓层一侧开始的至少一个量子垒层采用Al_xGa_1-xN生长，0<x<0.3，从所述P型氮化镓层一侧开始的至少一个量子垒层采用In_zGa_1-zN生长，0<z<0.15，所述P型氮化镓层直接生长在所述多量子阱层上。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，从所述N型氮化镓层一侧开始的至少两个量子垒层采用Al_xGa_1-xN生长，从所述N型氮化镓层一侧开始的至少两个量子垒层中的Al组分含量固定不变或逐层升高或逐层降低。

3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，从所述P型氮化镓层一侧开始的至少两个量子垒层采用In_zGa_1-zN生长，从所述P型氮化镓层一侧开始的至少两个量子垒层中的In组分含量固定不变或逐层升高或逐层降低。

4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述多量子阱层的中间量子垒层的势垒高度大于或等于所述从所述P型氮化镓层一侧开始的至少一个量子垒层的势垒高度，所述中间量子垒层的势垒高度小于或等于所述从所述N型氮化镓层一侧开始的至少一个量子垒层的势垒高度，所述中间量子垒层为，除了所述从所述N型氮化镓层一侧开始的至少一个量子垒层和所述从所述P型氮化镓层一侧开始的至少一个量子垒层以外的量子垒层。

5.根据权利要求4所述的外延片，其特征在于，所述中间量子垒层为Al_xGa_1-xN层、In_zGa_1-zN层或GaN层。

6.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述多量子阱层的各量子阱层的厚度分别为2～3nm，各量子垒层的厚度分别为10～20nm。

7.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述多量子阱层中的各量子垒层的厚度相等或不相等。

8.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述量子阱层为InGaN层，且所述量子垒层中In的组分含量小于各个量子阱层中In的组分含量。

9.根据权利要求1所述的外延片结构，其特征在于，所述多量子阱层中的各量子垒层有硅掺杂。

10.一种发光二极管的外延片的制作方法，所述方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长低温缓冲层、非掺杂的氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，所述多量子阱层为超晶格结构，所述超晶格结构包括交替生长的量子阱层和量子垒层，其特征在于，

从所述N型氮化镓层一侧开始的至少一个量子垒层采用Al_xGa_1-xN生长，0<x<0.3，从所述P型氮化镓层一侧开始的至少一个量子垒层采用In_zGa_1-zN生长，0<z<0.15，所述P型氮化镓层直接生长在所述多量子阱层上。