[发明专利]烧结后不合格单晶硅电池片的再利用及其栅线回收方法

权利要求书

1.一种烧结后不合格单晶硅电池片的再利用方法，其特征在于，包括以下步骤：

对不合格单晶硅电池片进行酸处理，得到待用硅片；

将待用硅片返回单晶硅电池片生产流程进行二次加工，得到成品合格的单晶硅电池片。

2.根据权利要求1所述的再利用方法，其特征在于，所述酸处理步骤包括：用温度为20～30℃，质量浓度为10%～40%的HF溶液对所述不合格单晶硅电池片进行酸处理，处理时间为3～15min，优选采用浸泡的方式进行酸处理，更优选所述HF溶液质量浓度为10%。

3.根据权利要求2所述的再利用方法，其特征在于，在所述酸处理步骤后，还包括用水对酸处理后的所述不合格单晶硅电池片进行清洗，清洗后晾干得到待用硅片，优选在50～120℃下烘干。

4.根据权利要求1所述的再利用方法，其特征在于，在所述酸处理步骤后，还包括去除所述待用硅片表面掺杂层的步骤。

5.根据权利要求4所述的再利用方法，其特征在于，去除所述待用硅片表面掺杂层的步骤包括：对所述待用硅片形成有掺杂层的一侧依次进行酸清洗、碱清洗、以及氢氟酸清洗以去除其表面掺杂层。

6.根据权利要求5所述的再利用方法，其特征在于，去除所述待用硅片表面掺杂层的步骤中,

所述酸清洗步骤中采用的酸液按体积份计包括：30～50份质量浓度为30～50%的HF、130～150份质量浓度为60～70%的HNO₃和60～80份的水；

所述碱清洗步骤中采用的碱液为质量浓度为40～55%的KOH或NaOH；

所述氢氟酸清洗步骤中采用的氢氟酸的质量浓度为30～50%；

优选所述酸清洗、所述碱清洗、以及所述氢氟酸清洗步骤在14℃～18℃温度下进行，且各步骤的处理时间为0.5～5min。

7.根据权利要求6所述的再利用方法，其特征在于，去除所述待用硅片表面掺杂层的所述酸清洗步骤中的腐蚀量为1～2μm。

8.根据权利要求6所述的再利用方法，其特征在于，去除所述待用硅片表面掺杂层的步骤中，在酸清洗、碱清洗以及氢氟酸清洗的步骤后均包括水洗的步骤。

9.一种烧结后不合格单晶硅电池片的栅线回收方法，其特征在于，对不合格单晶硅电池片进行酸处理以脱出所述不合格单晶硅电池片表面的栅线，然后收集脱出的所述栅线。

10.根据权利要求9所述的栅线回收方法，其特征在于，所述酸处理步骤包括：用温度为20～30℃，质量浓度为10%～40%的HF溶液对所述不合格单晶硅电池片进行酸处理，处理时间为3～15min；优选采用浸泡的方式进行酸处理；更优选所述HF溶液质量浓度为10%。