[发明专利]电子部件、包括它的电子装置及电子装置的制造方法

说明书

技术领域

本公开内容涉及电子部件、包括电子部件的电子装置以及电子装置的制造方法。

背景技术

使用称作柱（也称作柱子）的电极的电子部件（例如半导体元件）已经众所周知。使用形成在电极上的钎料将电子部件中的电极接合到对应电子部件中的电极（例如，柱）以电连接电极两者的技术已经众所周知。在接合工艺期间可能发生电极组分与钎料组分的扩散和反应。在电极上形成与电极相比具有难以发生钎料组分的扩散和反应的性质的阻挡层的技术与也众所周知。

此外，通常地，从抑制钎料组分的扩散和反应的角度来看，在钎料凸点和下面的焊垫之间形成阻挡金属的技术已经众所周知。例如参见日本公开特许公报第2010-263208号以及日本公开特许公报第2003-31576号。

发明内容

因此，通过使用钎料提供接合两个电子部件的可靠的接合技术是本发明中的一个方面的目的。根据本发明的一个方面，电子部件包括电极部和形成在电极部上的钎料部。在电子部件中，电极部包括相对于钎料部的组分具有不同扩散系数并且形成在电极部的顶表面上的第一导电部和第二导电部，并且钎料部形成在第一导电部和第二导电部上。

附图说明

图1A和图1B为示出示例性半导体器件的图。

图2为示出示例性端子的图。

图3A和图3B为端子之间的接合的实施例的说明图。

图4A和图4B为示出根据第一实施方案的示例性端子的图。

图5A至图5D为根据第一实施方案的端子之间的接合的实施例的说明图。

图6A和图6B为根据第一实施方案的端子之间的接合的另一实施例的说明图。

图7A至图7C为根据第一实施方案的端子形成方法的实施例的说明（第一）图。

图8A至图8D为根据第一实施方案的端子形成方法的实施例的说明（第二）图。

图9A至图9D为根据第一实施方案的端子形成方法的实施例的说明（第三）图。

图10A至图10D为端子形成方法的两个其它实施例的说明图。

图11A至图11D为端子形成方法的两个其它实施例的其它说明图。

图12A和图12B为示出根据第二实施方案的示例性端子的图。

图13A至图13D为根据第二实施方案的端子之间的接合的实施例的说明图。

图14A和图14B为根据第二实施方案的端子之间的接合的另一实施例的说明图。

图15A至图15D为根据第二实施方案的端子形成方法的实施例的说明（第一）图。

图16A至图16D为根据第二实施方案的端子形成方法的实施例的说明（第二）图。

图17A和图17B为示出根据第三实施方案的示例性端子的图。

图18A至图18D为根据第三实施方案的端子之间的接合的实施例的说明图。

图19A和图19B为根据第三实施方案的端子之间的接合的另一实施例的说明图。

图20A至图20D为根据第三实施方案的端子形成方法的实施例的说明（第一）图。

图21A至图21D为根据第三实施方案的端子形成方法的实施例的说明（第二）图。

图22A至图22C为示出在回流工艺之后的另一示例性端子的图。

图23为示出评价的结果的实施例的图。

具体实施方式

当通过钎焊方法将电子部件中的电极与其它的电子部件中的其它的电极进行接合时，由于电极组分与形成在电极上的钎料组分的扩散和反应使接合部的体积减少的情况可以发生，因而接合部在接合期间或者在接合之后断裂。即使当在电极上形成阻挡层时，存在以下担忧：钎料组分可能沿着阻挡层的侧表面扩散到下电极并且与电极反应以取决于例如电极和钎料的材料以及接合条件（例如电子部件的压力量以及阻挡层上的钎料的量）而引起接合部的体积的减少以及接合部的断裂。

根据本公开内容的一个方面，提供了包括电极部和形成在电极部上的钎料部的电子部件。在电子部件中，电极部包括相对于钎料部的组分具有不同扩散系数并且形成在电极部的顶表面上的第一导电部和第二导电部，并且钎料部形成在第一导电部和第二导电部上。

此外，根据本公开内容的另一方面，提供了包括电子部件的电子装置以及制造电子装置的方法。