[发明专利]硅和硅锗纳米线的形成

权利要求书

1.一种用于形成半导体布置的方法，包括：

在衬底上方形成第一硅和硅锗叠层，所述第一硅和硅锗叠层包括第一硅层和第一硅锗层；

邻近所述第一硅和硅锗叠层的第一侧形成第一源极区；

邻近所述第一硅和硅锗叠层的第二侧形成第一漏极区；

氧化所述第一硅和硅锗叠层以形成第一锗纳米线沟道，所述氧化包括在同一氧化工艺中将所述第一硅层和所述第一硅锗层中的硅转化为氧化硅区，所述第一锗纳米线沟道形成在所述第一源极区和所述第一漏极区之间；

去除所述氧化硅区；

由所述第一硅和硅锗叠层形成第二锗纳米线沟道；

在所述第一锗纳米线沟道周围形成第一介电层；

在所述第二锗纳米线沟道周围形成第二介电层；

在所述第一介电层和所述第二介电层周围形成第一栅极结构，以形成第一纳米线晶体管，其中，在所述第一介电层和所述第二介电层之间的间隔中不存在所述第一栅极结构；以及

形成包括第一硅纳米线沟道的第二纳米线晶体管。

2.根据权利要求1所述的方法，形成所述第二纳米线晶体管包括：

在所述衬底上方形成第二硅和硅锗叠层，所述第二硅和硅锗叠层包括第二硅层和第二硅锗层；

邻近所述第二硅和硅锗叠层的第一侧形成第二源极区；

邻近所述第二硅和硅锗叠层的第二侧形成第二漏极区；

从所述第二硅和硅锗叠层中去除所述第二硅锗层，以形成所述第一硅纳米线沟道，所述第一硅纳米线沟道形成在所述第二源极区和所述第二漏极区之间；以及

在所述第一硅纳米线沟道周围形成第二栅极结构，以形成所述第二纳米线晶体管。

3.根据权利要求2所述的方法，包括：

在所述第二纳米线晶体管内，由所述第二硅和硅锗叠层形成第二硅纳米线沟道。

4.根据权利要求1所述的方法，包括：

在单次制造工艺期间，将所述第一纳米线晶体形成作为PMOS晶体管管而将所述第二纳米线晶体管形成作为NMOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的方法，氧化所述第一硅和硅锗叠层包括：

去除形成在所述第一硅和硅锗叠层上方的牺牲栅极，以将所述第一硅和硅锗叠层暴露于氧中。

6.根据权利要求1所述的方法，包括：

在所述第一锗纳米线沟道和所述第一栅极结构之间形成界面层。

7.根据权利要求2所述的方法，去除所述第二硅锗层包括以下操作中的至少一个：

实施氧化技术，以将所述第二硅层暴露于氧中，从而形成所述第一硅纳米线沟道；和

对所述第二硅层实施氢退火技术，以形成所述第一硅纳米线沟道。