[发明专利]一种双曲介质和石墨烯纳米带组合天线器件的制作方法有效

专利信息
申请号: 201310594535.1 申请日: 2013-11-21
公开(公告)号: CN103594792A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 刘征;吕诚;曹俊诚 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;B82Y30/00;C01B31/04
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 李仪萍
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 介质 石墨 纳米 组合 天线 器件 制作方法
【权利要求书】:

1.一种双曲介质和石墨烯纳米带组合天线器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)提供由金属层及介质层周期层叠的双曲介质,根据等效介质理论计算出所述双曲介质在太赫兹波段的等效介电常数εt、εz

2)依据等效介电常数εt、εz将所述双曲介质的界面方向相对于第一平面逆时针旋转第一角度φ0,并使旋转后所述双曲介质的上表面与所述第一平面平行;

3)沿与所述第一平面顺时针旋转第二角度θ后的平面方向截去所述双曲介质的部分体积形成入射界面;

4)于所述双曲介质的上表面制作石墨烯纳米带。

2.根据权利要求1所述的双曲介质和石墨烯纳米带组合天线器件的制作方法,其特征在于:步骤2)所述的第一角度由公式确定。

3.根据权利要求2所述的双曲介质和石墨烯纳米带组合天线器件的制作方法,其特征在于:步骤3)所述的第二角度θ≥θ0,其中:

θ0=Arctanϵm[(ϵt+ϵz)cos(2φ0)-ϵt+ϵz]ϵmsin(2φ0)(ϵt+ϵz)--2ϵtϵz[(ϵt+ϵz)cos(2φ0)-ϵt+ϵz-2ϵm],]]>εm为所述双曲介质中金属层的介电常数。

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