[发明专利]一种检测光通讯波段半导体材料发光单光子特性的方法有效
| 申请号： | 201310594591.5 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103575708A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 周鹏宇;孙宝权;窦秀明;武雪飞;丁琨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01N21/63 | 分类号： | G01N21/63;G01N21/01;G01J11/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 检测 通讯 波段 半导体材料 发光 光子 特性 方法 | ||
1.一种检测光通讯波段半导体材料发光的单光子特性的方法，其特征在于，包括：
步骤A，按照准静水压压力装置腔室的大小切割半导体样品；
步骤B，将切割好的半导体样品装入所述准静水压装置的腔室中；
步骤C，向装有半导体样品的准静水压压力装置的腔室中填充透明惰性材料的传压介质；
步骤D，利用显微物镜使激发光透过所述准静水压装置的透明部分聚焦在其腔室中的样品上以激发样品，同时依靠该显微物镜收集样品的发光，通过调节所述准静水压压力装置内所述传压介质的压力，使待测半导体样品的发光波长移动至硅单光子探测器所对应的光谱探测范围内；
步骤E，结合配有硅单光子探测器的HBT单光子测试系统，对所述准静水压压力装置内的半导体样品中量子点发光的单光子特性进行检测。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述准静水压压力装置为金刚石对顶砧准静水压压力装置。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤C中，填充至金刚石对顶砧准静水压压力装置的传压介质为液氮、液氦或液氩。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤D中，硅单光子探测器所对应的光谱探测范围为400nm～1050nm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤D之后还包括：
步骤D，继续调节所述准静水压压力装置内的压力，使待测半导体样品的发光波长靠近硅单光子探测器探测最高效率所对应的波长值。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述硅单光子探测器探测最高效率所对应的波长值为700nm。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤D中，所述准静水压压力装置内的压力介于6GPa～7GPa范围之内。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述硅单光子探测器为硅雪崩二极管。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体样品为零压下发光波长位于1.3μm的InAs/GaAs半导体量子点。
10.根据权利要求1至7所述的方法，其特征在于，适用于发光波长位于光通讯波段的InAs/InP半导体量子点或发光波长位于光通讯波段且非1.3μm的InAs/GaAs半导体量子点的发光的单光子特性的表征。
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