[发明专利]铕掺杂硫代钛酸铜发光薄膜、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种铕掺杂硫代钛酸铜发光薄膜，其特征在于，其化学式为CuTi_1-xS₃：xEu³⁺，其中，0.01≤x≤0.08，CuTi_1-xS₃是基质，铕元素是激活元素。

2.根据权利要求1所述的铕掺杂硫代钛酸铜发光薄膜，其特征在于，所述铕掺杂硫代钛酸铜发光薄膜的厚度为80nm～300nm。

3.一种铕掺杂硫代钛酸铜发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将衬底装入化学气相沉积设备的反应室中，并将反应室的真空度设置为1.0×10^-2Pa～1.0×10^-3Pa；

调节衬底的温度为250℃～650℃，转速为50转/分钟～1000转/分钟，采用氩气气流的载体，根据CuTi_1-xS₃：xEu³⁺各元素的化学计量比将(C₅H₅)₂Cu、四异丙醇钛和Eu(TMHD)₃通入反应室内；及

通入硫化氢气体，进行化学气相沉积得到化学式为CuTi_1-xS₃：xEu³⁺的铕掺杂硫代钛酸铜发光薄膜，其中CuTi_1-xS₃是基质，铕元素是激活元素，0.01≤x≤0.08。

4.根据权利要求3所述的铕掺杂硫代钛酸铜发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述(C₅H₅)₂Cu、四异丙醇钛和Eu(TMHD)₃摩尔比为1：(0.99～0.92)：（0.01～0.08）。

5.根据权利要求3所述的铕掺杂硫代钛酸铜发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述氩气气流量为5sccm～15sccm，所述硫化氢气体气流量为10sccm～200sccm。

6.根据权利要求3所述的铕掺杂硫代钛酸铜发光薄膜的制备方法，其特征在于，将所述衬底装入所述反应室后将所述衬底在600℃～800℃下热处理10分钟～30分钟。

7.一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层的材料为铕掺杂硫代钛酸铜发光薄膜，该铕掺杂硫代钛酸铜发光薄膜的化学式为CuTi_1-xS₃：xEu³⁺，其中0.01≤x≤0.08，CuTi_1-xS₃是基质，铕元素是激活元素。

8.根据权利要求7所述的薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层的厚度为80nm～300nm。

9.一种薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供具有阳极的衬底；

在所述阳极上形成发光层，所述发光层的薄膜为铕掺杂硫代钛酸铜发光薄膜，该铕掺杂硫代钛酸铜发光薄膜的化学式为CuTi_1-xS₃：xEu³⁺，其中0.01≤x≤0.08，CuTi_1-xS₃是基质，铕元素是激活元素；

在所述发光层上形成阴极。

10.根据权利要求9所述的薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层的制备包括以下步骤：

将所述衬底装入化学气相沉积设备的反应室，并将反应室的真空度设置为1.0×10^-2Pa～1.0×10^-3Pa；

调节衬底的温度为250℃～650℃，转速为50转/分钟～1000转/分钟，采用氩气气流作为载体，根据CuTi_1-xS₃：xEu³⁺各元素的化学计量比将(C₅H₅)₂Cu、四异丙醇钛和Eu(TMHD)₃通入反应室内，其中，氩气气流量为5sccm～15sccm；

然后通入硫化氢气体，硫化氢气体气流量为10sccm～200sccm；沉积薄膜在所述阳极上形成发光层。