[发明专利]聚合物包裹碳纳米管近红外光伏器件无效
申请号: | 201310595193.5 | 申请日: | 2009-04-27 |
公开(公告)号: | CN103594629A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | S·R·福里斯特;M·S·阿诺德;J·D·兹米尔曼 | 申请(专利权)人: | 密执安州立大学董事会 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王海宁 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚合物 包裹 纳米 红外光 器件 | ||
1.一种有机光伏器件,该器件包含:
第一电极;
第二电极;以及
位于所述第一电极和第二电极之间且与所述第一电极和第二电极电连接的光活性区域,其中该光活性区域包含有机半导体材料和位于其中的光活性聚合物包裹的碳纳米管,由此所述有机半导体材料和光活性聚合物包裹的碳纳米管形成本体异质结,
其中所述有机半导体材料和所述光活性聚合物包裹的碳纳米管具有其各自的HOMO和LUMO能级,
其中所述有机半导体材料是电子受主型材料,该电子受主型材料的LUMO能级比所述光活性聚合物包裹的碳纳米管的LUMO能级更低,
其中所述电子受主型材料选自下列中的一种:蒸镀的C60,[84]PCBM([6,6]-苯基C84丁酸甲基酯),F16-CuPc,PTCBI,PTCDA,聚(苯并咪唑苯并菲咯啉),TCNQ(7,7,8,8-四氰醌二甲烷),和F4-TCNQ(四氟四氰醌二甲烷),或者
所述有机半导体材料是电子施主型材料,该电子施主型材料的HOMO能级比所述光活性聚合物包裹的碳纳米管的HOMO能级更高,其中所述电子施主型材料选自下列中的一种:BTEM-PPV(聚(2,5-双(1,4,7,10-四氧杂十一烷基)-1,4-苯撑乙烯撑),聚(3-癸氧基噻吩),CuPc(酞菁铜),NPD(4,4’-双(N-(1-萘基)苯氨基)联苯),并五苯,和并四苯,并且
其中包裹碳纳米管的光活性聚合物选自如下之一:聚[2-甲氧基-5-(3’,7’-二甲基辛氧基)-1,4-苯撑乙烯撑](MDMO-PPV),聚[2-甲氧基-5-(2’-乙基-己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑](MEH-PPV)和聚(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)(PFO),具有相同主链如PFO和不同增溶基的聚合物例如PFH--聚(9,9-二己基芴基-2,7-二基)或聚[9,9-二-(2-乙基己基)-芴基-2,7-二基],在PFO和另一种单体之间交替的共聚物例如聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-交替-(1,4-亚乙烯基苯撑)],聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-交替-(亚乙烯基蒽)],或聚[9,9-二辛基芴基-2,7-二基]-共-1,4-苯并-{2,1’-3}-噻二唑)],基于苯撑乙烯撑的聚合物例如MDMO-PPV--聚[2-甲氧基-5-(3,7-二甲基-辛氧基)-1,4-苯撑乙烯撑]或MEH-PPV--聚[2-甲氧基-5-(2-乙基-己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑],和具有相同主链和不同增溶基的聚合物例如聚[2,5-双(3,7-二甲基辛氧基)-1,4-苯撑乙烯撑],在PFO和另一种单体之间交替的共聚物例如聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-交替-(1,4-亚乙烯基苯撑)],聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-交替-(亚乙烯基蒽)],或聚[9,9-二辛基芴基-2,7-二基]-共-1,4-苯并-{2,1’-3}-噻二唑)],基于噻吩的聚合物例如P3HT或使用其它增溶基的那些聚合物例如P3BT--聚(3-丁基-噻吩-2,5-二基),P3HT--聚(3-己基-噻吩-2,5-二基),P3OT--聚(3-辛基-噻吩-2,5-二基),和P3DT--聚(3-癸基-噻吩-2,5-二基),其它导电聚合物主链例如PPE聚合物:聚(2,5-二辛基-1,4-亚苯基),具有相同的加成物和低带隙聚合物例如聚[2,6-(4,4-双-(2-乙基己基)-4H-环戊[2,1-b;3,4-b]-二噻吩)-交替-4,7-(2,1,3-苯并噻二唑)](PCPDTBT)。
2.权利要求1的器件,其中所述光活性聚合物包裹的碳纳米管是基本上半导体性的光活性聚合物包裹的单壁碳纳米管。
3.权利要求2的器件,其中所述光活性聚合物包裹的单壁碳纳米管在吸收400nm-1400nm的光时产生激子。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择