[发明专利]晶体三维晶面生长动力学的立体成像测定系统及方法

权利要求书

1.晶体三维晶面生长动力学的立体成像测定系统，其特征在于：包括装有待测晶体的晶体面生长反应器、对应晶体面生长反应器的两个以上的摄像机头、与摄像机头对应的光源、控制光源工作的光源与频闪控制器、将两个以上的摄像机头取的像进行图像处理的计算机以及与计算机连接的显示器，所述的光源与频闪控制器与计算机相连，其中

两个以上的摄像机头呈固定的立体角设置，摄像机参数设置相同并聚焦于同一样本区域，其获得的晶体样本的2D图像传输给计算机，计算机首先用分割技术对晶体样本的2D图像的背景进行删除，然后使用角/边缘/线检测技术，从晶体样本的2D图像中识别对应的点和线，再用已确定的点和线实现晶体样本的3D图像重建，由3D图像可获得晶体样本各个晶面的生长速率，最后根据在线测量的溶液参数，通过时间将溶液参数与生长速率关联起来，得到的关联函数即为可用于结晶过程优化、控制及放大的晶体三维晶面生长动力学模型。

2.根据权利要求1所述的晶体三维晶面生长动力学的立体成像测定系统，其特征在于：所述的晶体面生长反应器，包括反应器腔体、设置在反应器腔体中部的叶片搅拌器、以及检测溶液参数的探头，所述的光源照射的位置与摄像机聚焦的区域相一致，反应器腔体外部设置有加热/冷却夹套，所述的光源设置在反应器腔体相互对应位置的上、下方。

3.根据权利要求1所述的晶体三维晶面生长动力学的立体成像测定系统，其特征在于：所述的晶体面生长反应器，包括反应器腔体、设置在反应器腔体内部的磁力搅拌器、以及检测溶液参数的探头，所述的光源设置在反应器腔体相互对应位置的上、下方，光源照射的位置与摄像机聚焦的区域相一致，反应器腔体外部设置有加热/冷却夹套。

4.根据权利要求1至3任一权利要求所述的晶体三维晶面生长动力学的立体成像测定系统，其特征在于：所述的晶体面生长反应器，其反应器腔体在光轴方向上的形状为扁平，反应器腔体的上盖为具有超低反光率的石英玻璃。

5.根据权利要求1所述的晶体三维晶面生长动力学的立体成像测定系统，其特征在于：所述的晶体面生长反应器，包括反应器腔体，还包括晶体流动单元，晶体流动单元的上下方设置有光源，光源照射的位置与摄像机聚焦的区域相一致，晶体流动单元通过导管与反应器腔体相连接，反应器腔体内设置有叶片搅拌器和检测溶液参数的探头。

6.根据权利要求1、2、3、5任一权利要求所述的晶体三维晶面生长动力学的立体成像测定系统，其特征在于：所述的摄像机头呈固定的立体角设置，所述的摄像机头与立体角中轴线间的角度范围为10到80度。