[发明专利]两步液相离子交换合成氧化锌/硫化镉异质结纳米棒阵列的方法无效
申请号: | 201310596030.9 | 申请日: | 2013-11-22 |
公开(公告)号: | CN103599738A | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 杜希文;王琰 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | B01J13/02 | 分类号: | B01J13/02;C01G11/02;C01G9/02;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 张宏祥 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 两步液相 离子交换 合成 氧化锌 硫化 镉异质结 纳米 阵列 方法 | ||
1.一种两步液相离子交换合成氧化锌/硫化镉异质结纳米棒阵列的方法,具有如下步骤:
(1)以ZnO纳米棒阵列为原料,加入到30mL0.05~0.5M硫代乙酰胺简称TAA的水溶液中,以反应釜为反应容器,于90℃下保持0.5~2h,再取出清洗,得到白色物质ZnO/ZnS异质结纳米棒阵列;
(2)将步骤(1)的白色ZnO/ZnS异质结纳米棒阵列加入到30mL0.01~0.1M氯化镉CdCl2水溶液中,以反应釜为反应容器,于120℃下保持6~9h,再取出清洗,得到黄色物质ZnO/CdS异质结纳米棒阵列。
2.根据权利要求1的两步液相离子交换合成氧化锌/硫化镉异质结纳米棒阵列的方法,其特征在于,所述步骤(2)制得的ZnO/CdS异质结纳米棒阵列的CdS层的厚度为40~60nm。
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