[发明专利]一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法

权利要求书

1.一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法，步骤包括装料、抽真空、电子枪预热、电子束轰击硅料和冷却后取料，其特征在于：所述的电子束轰击硅料是：直到硅料全部熔化后，再调节电子束频率为5～10Hz，进行5～15min的电子束低频轰击。

2.根据权利要求1所述的一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法，其特征在于：所述的装料，是指将多晶硅铸锭底料破碎，清洗烘干后放入水冷铜坩埚中。

3.根据权利要求1所述的一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法，其特征在于：所述的抽真空，是指调节真空泵组，将炉体真空度抽到5×10^-2Pa以下，电子枪真空度抽到5×10^-3Pa以下。

4.根据权利要求1所述的一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法，其特征在于：所述的电子枪预热，是指设置高电压为25～35kW，预热5～10min后关闭高电压；设置电子枪束流为70～200mA，预热5～10min后关闭电子枪束流。

5.根据权利要求1所述的一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法，其特征在于：所述的电子束熔炼，是指同时打开电子枪的高电压和束流，用电子枪轰击硅料，增大电子枪束流至200～1200mA，直到硅料全部熔化后，继续轰击5～15min。

6.根据权利要求1所述的一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法，其特征在于：所述的冷却后取料，是指关闭电子枪，待硅料经过10～60min冷却后关闭真空泵组，打开放气阀，取出硅料。

7.根据权利要求2所述的一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法，其特征在于：所述的多晶硅铸锭底料为氧含量4～20ppmw的硅料。

8.根据权利要求2所述的一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法，其特征在于：所述的硅料装入量为水冷铜坩埚容积的1/3～1/2。

9.根据权利要求1所述的一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法，其特征在于：所述的冷却后取料，取出硅料中氧含量为0.0571ppmw以下。