[发明专利]基于在低电位氧化过氧化氢的电流型传感器及其制法有效
| 申请号： | 201310597328.1 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN104655703A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 常虎成;王明芳;何冬青;封心建 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G01N27/416 | 分类号： | G01N27/416 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 电位 氧化 过氧化氢 电流 传感器 及其 制法 | ||
1. 一种基于在低电位氧化过氧化氢的电流型传感器，包括传感器基体，其特征在于，所述传感器基体上还修饰有主要由铑纳米颗粒与石墨烯复合形成的铑/石墨烯复合物。
2. 如权利要求1所述的基于在低电位氧化过氧化氢的电流型传感器，其特征在于，所述铑/石墨烯复合物包含5wt%～20wt%的铑纳米颗粒。
3. 如权利要求1或2所述的基于在低电位氧化过氧化氢的电流型传感器，其特征在于，其中至少85%的铑纳米颗粒的平均粒径在2-3nm。
4. 如权利要求1所述的基于在低电位氧化过氧化氢的电流型传感器，其特征在于，所述电流型传感器的检测电位在0.1V左右。
5. 如权利要求1所述的基于在低电位氧化过氧化氢的电流型传感器，其特征在于，所述传感器基体上覆盖主要由铑/石墨烯复合物形成的薄膜。
6. 一种基于在低电位氧化过氧化氢的电流型传感器的制法，其特征在于，包括：
取RGO的水分散系与可溶性铑盐的水溶液均匀混合后，再加入用以将铑离子还原成单质的还原剂，充分反应后，分离出其中的固形物，获得主要由铑纳米颗粒与石墨烯复合形成的铑/石墨烯复合物，
以及，将所述铑/石墨烯复合物负载到传感器基体上，获得所述电流型传感器。
7. 如权利要求6所述基于在低电位氧化过氧化氢的电流型传感器的制法，其特征在于，所述可溶性铑盐包括RhCl3，所述还原剂包括NaBH4。
8. 如权利要求6所述基于在低电位氧化过氧化氢的电流型传感器的制法，其特征在于，所述铑/石墨烯复合物包含5wt%～20wt%的铑纳米颗粒，其中至少85%的铑纳米颗粒的平均粒径在2-3nm。
9. 如权利要求6所述基于在低电位氧化过氧化氢的电流型传感器的制法，其特征在于，该方法还包括：
将所述铑/石墨烯复合物分散于水中形成分散液，而后将该分散液施加至传感器基体表面，经干燥处理后，再施加上Nafion?溶液，于室温下干燥，形成均匀覆盖在传感器基体上的、主要由铑/石墨烯复合物形成的薄膜。
10. 如权利要求6所述基于在低电位氧化过氧化氢的电流型传感器的制法，其特征在于，所述传感器基体包括玻碳电极。
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