[发明专利]有机电激发光二极体储存电容结构及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电激发光二极体储存电容结构，包括在玻璃基板上依次设置的一多晶硅层、一第一绝缘层、一第一金属层、一第二绝缘层、一第二金属层以及一第三绝缘层，所述第一金属层与所述第二金属层相互平行形成一第一电容，其特征在于：

在所述第三绝缘层上设有一第三金属层，所述第三金属层与所述第二金属层相互平行形成一第二电容，所述第二绝缘层与所述第三绝缘层对应所述第一金属层与所述第三金属层位置形成有接触洞，所述第二金属层形成有用于避开所述接触洞的避让区域，所述第三金属层与所述第一金属层通过所述接触洞接触导通，从而形成所述第一电容与所述第二电容的并联连接。

2.如权利要求1所述的储存电容结构，其特征在于：所述避让区域的面积大于所述接触洞的面积，且所述第三绝缘层的材料沉积填充于所述避让区域与接触洞之间。

3.一种有机电激发光二极体储存电容结构的制备方法，依次在玻璃基板上制作一多晶硅层、一第一绝缘层、一第一金属层、一第二绝缘层、一第二金属层以及一第三绝缘层，使得所述第一金属层与所述第二金属层相互平行形成一第一电容，其特征在于：

在制作所述第二金属层时形成一避让区域，于所述第二金属层上制作所述第三绝缘层，并且所述第三绝缘层的材料顺势沉积于所述避让区域；

于所述第二绝缘层与所述第三绝缘层对应所述第一金属层和避让区域位置形成接触洞；

于所述第三绝缘层上制作一第三金属层，使得所述第三金属层与所述第二金属层相互平行形成一第二电容，并且通过所述接触洞使得所述第三金属层与所述第一金属层接触导通，从而形成所述第一电容与所述第二电容的并联连接。