[发明专利]一种减少低压炉管内杂质颗粒的方法有效
| 申请号： | 201310597941.3 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103643220A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 吴加奇;王智;苏俊铭;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 低压 炉管 杂质 颗粒 方法 | ||
1.一种减少低压炉管内杂质颗粒的方法，其特征在于，提供一低压炉管，于该低压炉管中进行晶圆的沉积工艺；
在取出所述晶圆后，对所述低压炉管进行升温操作；
于该低压炉管中间隔地通入清洁气体，对低压炉管进行降温操作；
将所述的低压炉管升温至待机温度，去除所述低压炉管中残留的杂质颗粒。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的去除杂质颗粒的操作为每M次晶圆的沉积工艺后进行一次，M为大于或等于1的正整数。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的清洁气体为氮气、氩气、氦气中的一种或多种的混合物。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的通入清洁气体的间隔时间范围为2-10min，通入一次清洁气体进行清洗的清洗时间范围为2-10min。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的清洁气体通入流量范围为10-600sccm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的升温操作具体为将机台温度升高至待机温度以上，其升温幅度范围为0-400℃，升温速率为5-20℃/min。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的升温操作后，还包括保持温度恒定的时间范围为5-60min。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的降温操作具体为将温度降低至机台待机温度以下，其降温幅度范围为0-400℃，降温速率为2-10℃/min。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的降温操作后，还包括保持温度恒定并在低温状态的时间范围为5-60min。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的待机温度为具体沉积工序的正常温度。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
