[发明专利]高效薄膜太阳能电池

权利要求书

1.一种高效薄膜太阳能电池，其特征在于：太阳能电池的主体结构是由超材料组成，超材料结构由三层结构组成，其中上层（1）和下层（3）是金属光栅结构，金属光栅的光栅之间为介质，中间层（2）是介质结构，其中上层（1）的金属和下层（3）的金属相互对准，上层（1）的介质和下层（3）的介质相互对准，中间层（2）为半导体异质结，金属光栅的所有金属条的末端通过金属条连接起来，半导体异质结的厚度H为50-70纳米，金属光栅的金属条宽度Wd为55至65纳米，金属光栅周期p为140至160纳米，金属光栅的金属条厚度L为55至65纳米。

2.根据权利要求1所述的高效薄膜太阳能电池，其特征在于：所述半导体异质结为有机半导体聚三已基噻酚:富勒烯衍生物P3HT:PCBM。

3.根据权利要求1所述的高效薄膜太阳能电池，其特征在于：所述上层（1）和下层（3）是金属光栅为银光栅。

4.根据权利要求1所述的高效薄膜太阳能电池，其特征在于：上层（1）的介质和下层（3）的介质为空气或者是聚合物。

5.根据权利要求1所述的高效薄膜太阳能电池，其特征在于：金属光栅的金属条厚度L的范围在58至63纳米之间。

6.根据权利要求1所述的高效薄膜太阳能电池，其特征在于：金属光栅的金属条厚度Wd范围在58至63纳米之间。

7.根据权利要求1所述的高效薄膜太阳能电池，其特征在于：光栅周期p范围在145至155纳米之间。

8.根据权利要求1所述的高效薄膜太阳能电池，其特征在于：半导体异质结的厚度H范围在55-65纳米之间。

9.根据权利要求1所述的高效薄膜太阳能电池，其特征在于：还包括基底（4），所述下层（3）设置在基底（4）上。