[发明专利]一种电源电压负载转储保护电路

权利要求书

1.一种电源电压负载转储保护电路，其特征是：包括一个输出焊盘；一个电源电压焊盘，串联连接在电源和用于从电源接收电源电压的运算电路；一个MOS输出上拉晶体管，其形成在半导体衬底中，并包括源极，漏极和栅极，其特征在于，所述源极连接到电源焊盘，漏极连接到输出焊盘，栅极被连接来从运算电路接收输出信号，输出上拉晶体管被构造成能承受超过预先选定的在它的源极和所述半导体衬底之间的源极和漏极之间的击穿电压，并且检测装置连接在电源焊盘和输出上拉晶体管的栅极之间，用于检测超过预定电压的电源电压，并且关闭所述输出上拉晶体管；所述检测装置包括输出上拉晶体管,源极和栅极电极之间连接的开关，和一个负载转储检测锁存器，它有一个连接到电源焊盘的输入，一个连接到开关的输出，这样当电源焊盘处的电压超过预选值，锁存器的输出就会使开关关闭；其中开关包括一个MOS开关晶体管，其源极连接到电源焊垫，其漏极连接到MOS输出上拉晶体管的栅极，其栅极来接收锁存器的输出，使得当锁存器输出超过预选的电压时，开关晶体管导通。

2.根据权利要求1中所述的一种电源电压负载转储保护电路，其特征是：还包括一个输出焊盘；一个电源电压焊盘，串联连接在电源和用于从电源接收电源电压的运算电路；一个MOS输出上拉晶体管，其形成在半导体衬底中，并包括源极，漏极和栅极，其特征在于，所述源极连接到电源焊盘，漏极连接到输出焊盘，栅极被连接来从运算电路接收输出信号，输出上拉晶体管被构造成能承受超过预先选定的在它的源极和所述半导体衬底之间的源极和漏极之间的击穿电压，并且检测装置连接在电源焊盘和输出上拉晶体管的栅极之间，用于检测超过预定电压的电源电压，并且关闭所述输出上拉晶体管；所述检测装置包括输出上拉晶体管的源极和栅极之间连接的开关，和一个负载转储检测锁存器，它有一个连接到电源焊盘的输入，一个连接到开关的输出，这样当电源焊盘处的电压超过预选值，锁存器的输出就会使开关关闭；中开关包括一个MOS开关晶体管，其源极连接到电源焊垫，其漏极连接到MOS输出上拉晶体管的栅极，其栅极来接收锁存器的输出，使得当锁存器输出超过预选的电压时，开关晶体管导通；负载转储检测锁存器包括一个连接在电源焊盘与第一节点之间的第一电阻装置，连接到第一开关晶体管的栅极来提供一个锁存输出；一个第一MOS锁存晶体管，它的漏极连接到第一节点，源极连接到地电势，栅极连接到第二节点；一个第二MOS锁存晶体管，它的源极连接到电源焊盘，漏极连接到第二节点，栅极连接到第一节点；还有一个连接在第二节点和地电势之间的第二电阻装置；进一步包括连接在开关晶体管和地电势之间的第三电阻装置；进一步包括一个MOS输出下拉晶体管，它的漏极连接到输出焊盘，源极连接到地电势，栅极来接受运算电路的输出信号。

3.根据权利要求1中所述的一种电源电压负载转储保护电路，其特征是：包括一个输出焊盘；一个电源电压焊盘，串联连接在电源和用于从电源接收电源电压的运算电路；一个MOS输出上拉晶体管，其形成在半导体衬底中，并包括源极，漏极和栅极，其特征在于，所述源极连接到电源焊盘，漏极连接到输出焊盘，栅极被连接来从运算电路接收输出信号，输出上拉晶体管被构造成能承受超过预先选定的在它的源极和所述半导体衬底之间的源极和漏极之间的击穿电压，并且检测装置连接在电源焊盘和输出上拉晶体管的栅极之间，用于检测超过预定电压的电源电压，并且关闭所述输出上拉晶体管；其中进一步包括一个连接在电源焊盘和稳压输出驱动晶体管之间的多晶硅电阻；其中多晶硅电阻的值约为100欧姆；其中稳压输出驱动晶体管形成在半导体衬底中，并且包括源极、漏极、栅极，其中源极用来从电源焊盘接收电压信号，漏极连接到稳压输出焊盘，栅极用来从检测装置接收输出信号；稳压输出驱动晶体管被构造成能承受超过预先选定的在它的源极和所述半导体衬底之间的源极和漏极之间的击穿电压；其中检测装置包括：一个连接在电源焊盘和稳压输出驱动晶体管的栅极之间的开关；一个负载转储检测锁存器，它有一个连接到电源焊盘的输入，一个连接到开关的输出，这样当电源焊盘处的电压超过预选值，锁存器的输出就会使开关关闭；其中包括一个MOS开关晶体管，其源极连接到电源焊垫，其漏极连接到MOS输出上拉晶体管的栅极，其栅极来接收锁存器的输出，使得当锁存器输出超过预选的电压时，开关晶体管导通。