[发明专利]平板单偏振太赫兹波输出器

权利要求书

1. 一种平板单偏振太赫兹波输出器，其特征在于包括输入端（1）、第一信号输出端（2）、第二信号输出端（3）、平板单偏振波输出器（4）、基底（5）、左矩形波导（6）、梯形波导（7）、圆环形波导（8）、中部矩形波导（9）、大矩形波导（10）、右上矩形波导（11）、右下矩形波导（12）；基底（5）的上表面设有左矩形波导（6）、梯形波导（7）、圆环形波导（8）、中部矩形波导（9）、大矩形波导（10）、右上矩形波导（11）、右下矩形波导（12），左矩形波导（6）的左端与基底（5）的左端边相连，左矩形波导（6）的左端设有信号输入端（1），梯形波导（7）的左端与左矩形波导（6）的右端相连，梯形波导（7）的右端上部与圆环形波导（8）的左端相连，梯形波导（7）的右端下部与中部矩形波导（9）的左端相连，大矩形波导（10）的左端上下部分别与圆环形波导（8）的右端和中部矩形波导（9）的右端相连，大矩形波导（10）的右端上下部分别与右上矩形波导（11）的左端和右下矩形波导（12）的左端相连，右上矩形波导（11）的右端、右下矩形波导（12）的右端均与基板（5）的右端边相连，右上矩形波导（11）的右端、右下矩形波导（12）的右端分别设有第一信号输出端（2）、第二信号输出端（3），信号从信号输入端（1）进入平板单偏振波输出器（4）后分别从第一信号输出端（2）、第二信号输出端（3）输出。

2. 根据权利要求1所述的一种平板单偏振太赫兹波输出器，其特征在于所述的平板单偏振波输出器（4）的长度为14μm~16μm，宽度为9μm~11μm，它由基底层和波导层组成，其中基底层的材料为二氧化硅，波导层的材料为硅，波导层厚度均为0.2μm~0.3μm。

3. 根据权利要求1所述的一种平板单偏振太赫兹波输出器，其特征在于所述的基底（5）的长度为14μm~16μm，宽度为9μm~11μm，厚度为3.5μm~4.5μm。

4. 根据权利要求1所述的一种平板单偏振太赫兹波输出器，其特征在于所述的左矩形波导（6）的长度为0.9μm~1.2μm，宽度为0.2μm~0.4μm。

5. 根据权利要求1所述的一种平板单偏振太赫兹波输出器，其特征在于所述的梯形波导（7）的上底边长度为0.2μm~0.4μm，下底边长度为0.9μm~1.1μm，高为0.9μm~1.1μm。

6. 根据权利要求1所述的一种平板单偏振太赫兹波输出器，其特征在于所述的圆环形波导（8）的外圆半径为5.5μm~7μm，内圆半径为4μm~5μm，圆心角为40°~60°。

7. 根据权利要求1所述的一种平板单偏振太赫兹波输出器，其特征在于所述的中部矩形波导（9）的长度为3μm~5μm，宽度为0.3μm~0.6μm。

8. 根据权利要求1所述的一种平板单偏振太赫兹波输出器，其特征在于所述的大矩形波导（10）的长度为5μm~6μm，宽度为3μm~4μm。

9. 根据权利要求1所述的一种平板单偏振太赫兹波输出器，其特征在于所述的右上矩形波导（11）的长度为2μm~3μm，宽度为0.5μm~0.7μm；所述的右下矩形波导（12）的长度为2μm~3μm，宽度为0.5μm~0.7μm。