[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差（如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射），引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。

发明内容

基于此，有必要提供一种出光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、散射层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述散射层由钙的化合物材料掺杂层和二元掺杂层组成，所述钙的化合物材料掺杂层包括钙的化合物材料及掺杂在所述钙的化合物材料中的发光材料，所述发光材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中至少一种，所述钙的化合物材料选自氧化钙、氯化钙、碳酸钙及氟化钙中至少一种，所述二元掺杂层包括有机硅小分子材料及掺杂在所述有机硅小分子材料中的铜的化合物材料，所述有机硅小分子材料的能隙为-3.5eV～-5.5eV，所述铜的化合物材料选自碘化亚铜、氧化亚铜、酞菁铜及氧化铜中至少一种。

所述钙的化合物材料掺杂层的厚度为40nm～100nm，所述二元掺杂层的厚度为10nm～60nm。

所述钙的化合物材料掺杂层中所述钙的化合物材料与所述发光材料的质量比为3:1～8:1，所述二元掺杂层中所述有机硅小分子材料中与所述铜的化合物材料的质量比为40:1～60:1。

所述有机硅小分子材料选自二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯及p-双（三苯基硅）苯中至少一种。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

在玻璃基底表面蒸镀制备散射层，所述散射层由钙的化合物材料掺杂层和二元掺杂层组成，在所述玻璃基底表面采用电子束蒸镀制备钙的化合物材料掺杂层，所述钙的化合物材料掺杂层包括钙的化合物材料及掺杂在所述钙的化合物材料中的发光材料，所述发光材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中至少一种，所述钙的化合物材料选自氧化钙、氯化钙、碳酸钙及氟化钙中至少一种，在所述钙的化合物材料掺杂层表面通过电子束蒸镀制备所述二元掺杂层，所述二元掺杂层包括有机硅小分子材料及掺杂在所述有机硅小分子材料中的铜的化合物材料，所述有机硅小分子材料的能隙为-3.5eV～-5.5eV，所述铜的化合物材料选自碘化亚铜、氧化亚铜、酞菁铜及氧化铜中至少一种；

在所述散射层表面磁控溅射制备阳极，所述阳极的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物；及

在所述阳极的表面依次蒸镀制备穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。

所述钙的化合物材料掺杂层的厚度为40nm～100nm，所述二元掺杂层的厚度为10nm～60nm。

所述钙的化合物材料掺杂层中所述钙的化合物材料与所述发光材料的质量比为3:1～8:1，所述二元掺杂层中所述有机硅小分子材料中与所述铜的化合物材料的质量比为40:1～60:1。

所述有机硅小分子材料选自二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯及p-双（三苯基硅）苯中至少一种。

所述电子束蒸镀方式的工艺具体为：工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm²～l00W/cm²，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。