[发明专利]一种用于单根一维纳米材料焊接的助焊料及其焊接方法有效
申请号: | 201310607541.6 | 申请日: | 2013-11-27 |
公开(公告)号: | CN103706959A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 金震 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | B23K35/22 | 分类号: | B23K35/22;B23K28/00 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所 34115 | 代理人: | 汪贵艳 |
地址: | 230031 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 单根一维 纳米 材料 焊接 焊料 及其 方法 | ||
1.一种用于单根一维纳米材料焊接的助焊料,其特征在于:所述助焊料是将直径为5~100nm的贵金属纳米材料通过超声分散于溶剂中形成1μg/mL-10mg/mL溶液。
2.根据权利要求1所述的用于单根一维纳米材料焊接的助焊料,其特征在于:所述贵金属纳米材料为金、银、铂或铜的纳米颗粒、纳米片或纳米棒。
3.根据权利要求1所述的用于单根一维纳米材料焊接的助焊料,其特征在于:所述溶剂为水、甲醇、乙醇、丙酮、乙醚或异丙醇。
4.根据权利要求1所述的用于单根一维纳米材料焊接的助焊料,其特征在于:所述超声分散的功率为不小于10毫瓦,超声分散时间为5~30分钟。
5.一种如权利要求1-4任一项所述的用于单根一维纳米材料焊接的助焊料的焊接方法,其特征在于:包括下述步骤:
(1)使用纳米操纵探针挑起一根待焊接的一维纳米材料置于带电极基底上的待焊接处;
(2)将助焊料滴加到带电极基底上的待焊接处而分散于一维纳米材料与带电极基底之间;
(3)将一根探针电极压在一维纳米材料的表面,另一根探针电极压在该一维纳米材料附近的带电极基底上,通电施加电压,助焊料熔化后将一维纳米材料与带电极基底连接成一整体。
6.根据权利要求5所述的焊接方法,其特征在于:所述一维纳米材料是直径为10-1000nm的金、银、铜、锡、铟、锌、氧化锌、二氧化锡或二氧化钛的纳米线、纳米带、纳米管或纳米电缆。
7.根据权利要求5所述的焊接方法,其特征在于:所述带电极基底是指在硅片、玻璃、导电玻璃、有机玻璃或及聚合物薄膜的表面经蒸发、溅射或离子束沉积方法形成一层金、银或铜电极薄膜。
8.根据权利要求5所述的焊接方法,其特征在于:所述步骤(3)中电压的的大小为-18V~18V,电压的波形为线性、方波、正弦波、脉冲波、锯齿波或阶梯波。
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