[发明专利]一种N型硅太阳能电池的双面扩散工艺无效
| 申请号： | 201310607594.8 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103594560A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李静;邢国强;张斌;夏正月 | 申请（专利权）人： | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 刘燕娇 |
| 地址： | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 双面 扩散 工艺 | ||
1.一种N型硅太阳能电池的双面扩散工艺，其特征在于：包括以下步骤：
1）将两片硅片的受光面紧贴一起放入石英舟的卡槽中，再把装载硅片的石英舟推进扩散炉管中，控制温度在980-1030℃，时间20-60min，再控制温度在800-850℃，时间90-120min；同时通入硼源，进行重掺杂硼工序；
2)把扩散后的硅片从扩散炉管中退出并将硅片卸入花篮中，用浓度为10-15%的氢氟酸进行清洗10-15min；
3)将清洗后的两片硅片的背光面紧贴一起放入石英舟的卡槽中，再把装载硅片的石英舟推进扩散炉管中，通入硼源，采用轻掺杂硼的扩散工艺制作发射极。
2.根据权利要求1所述的N型硅太阳能电池的双面扩散工艺，其特征在于：所述步骤1通入硼源过程中大氮控制10000-50000cm3/min，小氮控制1000-2000cm3/min，氧气控制500-3000cm3/min；在不通硼源时，大氮控制5000-50000cm3/min，氧气控制0-3000cm3/min。
3.根据权利要求1所述的N型硅太阳能电池的双面扩散工艺，其特征在于：所述步骤3采用先高温后低温的模式，先控制温度在910-990℃，再控制温度在800-850℃。
4.根据权利要求1所述的N型硅太阳能电池的双面扩散工艺，其特征在于：所述步骤3采用先低温再高温的模式，先控制温度在880-910℃，再控制温度在910-990℃。
5.根据权利要求1所述的N型硅太阳能电池的双面扩散工艺，其特征在于：所述步骤3采用恒温模式，控制温度在910-990℃。
6.根据权利要求1所述的N型硅太阳能电池的双面扩散工艺，其特征在于：所述步骤3通硼源过程中大氮控制10000-50000cm3/min，小氮控制100-1000cm3/min，氧气控制100-3000cm3/min；在不通硼源时，大氮控制5000-50000cm3/min，氧气控制0-3000cm3/min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
