[发明专利]DEMOS器件及制造方法

权利要求书

1.一种DEMOS器件，其特征在于，包括：

硅衬底，在所述硅衬底中形成有第一导电类型阱和第二导电类型阱，在所述硅衬底表面形成有浅沟槽场氧，由所述浅沟槽场氧隔离出有源区，所述浅沟槽场氧由填充于浅沟槽中的氧化硅组成；

沟道区，由一个所述第二导电类型阱组成；

漂移区，由一个所述第一导电类型阱组成，所述漂移区的第一侧和所述沟道区横向接触；

栅极结构，由依次形成于所述硅衬底表面的栅介质层和多晶硅栅组成；所述栅极结构覆盖部分所述沟道区表面并延伸到所述漂移区上方，被所述栅极结构所覆盖的所述沟道区表面用于形成沟道；

源区，由形成于所述沟道区表面的第一导电类型重掺杂区组成，所述源区和所述栅极结构的第一侧自对准；

漏区，由形成于所述漂移区表面的第一导电类型重掺杂区组成，所述漏区和所述栅极结构的第二侧相隔一段距离；

所述漂移区的第二侧和一个第二导电类型阱相接触，令该第二导电类型阱为衬底引出阱区，在所述衬底引出阱区表面形成有由第二导电类型重掺杂区组成衬底引出区，通过所述衬底引出区和所述衬底引出阱区实现衬底电极的引出；

在所述漏区和所述衬底引出区之间设置有一个所述浅沟槽场氧，令该浅沟槽场氧为第一浅沟槽场氧，所述第一浅沟槽场氧横向跨越了所述漂移区和所述衬底引出阱区的接触面；

第一导电类型掺杂的悬浮漂移区，形成于所述第一浅沟槽场氧的底部，所述悬浮漂移区由所述浅沟槽形成后、在所述浅沟槽中填充氧化硅之前通过第一导电类型离子注入形成；在横向上，所述悬浮漂移区从所述漂移区中延伸到所述衬底引出阱区中；在纵向上，所述悬浮漂移区和所述第一浅沟槽场氧底部相隔一段距离、且所述悬浮漂移区的底部深度小于等于所述漂移区或所述衬底引出阱区的底部深度。

2.如权利要求1所述的DEMOS器件，其特征在于：DEMOS器件为N型器件，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

3.如权利要求1所述的DEMOS器件，其特征在于：DEMOS器件为P型器件，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。

4.如权利要求1所述的DEMOS器件，其特征在于：所述悬浮漂移区的离子注入的注入能量为250KEV～400KEV，注入剂量为1.4E13cm^-2，所述悬浮漂移区的离子注入的峰值距离所述第一浅沟槽场氧底部3000埃～5000埃。

5.一种DEMOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在硅衬底上分别形成第一导电类型阱和第二导电类型阱；沟道区由一个所述第二导电类型阱组成；漂移区由一个所述第一导电类型阱组成，所述漂移区的第一侧和所述沟道区横向接触；所述漂移区的第二侧和一个第二导电类型阱相接触，令该第二导电类型阱为衬底引出阱区；

步骤二、采用浅沟槽隔离工艺在所述硅衬底表面形成浅沟槽，由所述浅沟槽离出有源区；在所述漂移区和所述衬底引出阱区的接触面上方设置有一个所述浅沟槽，令该浅沟槽为第一浅沟槽，所述第一浅沟槽横向跨越了所述漏区和所述衬底引出阱区的接触面；

步骤三、进行第一导电类型离子注入在所述第一浅沟槽的底部形成悬浮漂移区，在横向上，所述悬浮漂移区从所述漂移区中延伸到所述衬底引出阱区中；在纵向上，所述悬浮漂移区和所述第一浅沟槽场氧底部相隔一段距离、且所述悬浮漂移区的底部深度小于等于所述漂移区或所述衬底引出阱区的底部深度；

步骤四、在所述浅沟槽中填充氧化硅形成浅沟槽场氧，令填充于所述第一浅沟槽中氧化硅为第一浅沟槽场氧；

步骤五、在所述硅衬底表面依次形成栅介质层和多晶硅栅，采用光刻刻蚀工艺对所述多晶硅上和所述栅介质层进行刻蚀形成栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述沟道区表面并延伸到所述漂移区上方，被所述栅极结构所覆盖的所述沟道区表面用于形成沟道；

步骤六、进行第一导电类型重掺杂源漏注入同时形成源区和漏区；所述源区形成于所述沟道区，所述源区和所述栅极结构的第一侧自对准；所述漏区形成于所述漂移区表面，所述漏区和所述栅极结构的第二侧相隔一段距离；

步骤七、进行第二导电类型重掺杂离子注入在所述衬底引出阱区表面形成衬底引出区，通过所述衬底引出区和所述衬底引出阱区实现衬底电极的引出；所述第一浅沟槽场氧位于所述漏区和所述衬底引出区之间。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：DEMOS器件为N型器件，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。