[发明专利]磷掺杂硅片、其制作方法、太阳能电池片及其制作方法有效
申请号: | 201310610878.2 | 申请日: | 2013-11-26 |
公开(公告)号: | CN103606596A | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 范志东;马继奎 | 申请(专利权)人: | 英利集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0288;C30B31/18 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂 硅片 制作方法 太阳能电池 及其 | ||
1.一种硅片的磷掺杂方法,其特征在于,包括升温待掺杂硅片、前净化、磷沉积扩散以及降温的步骤,其中所述磷沉积扩散步骤采用POCl3作为磷源使其与O2反应进行分步沉积扩散,在所述分步沉积扩散的步骤中所述POCl3与所述O2的体积比呈递减的方式进行。
2.根据权利要求1所述的磷掺杂方法,其特征在于,所述POCl3与所述O2的总流量呈递减的方式进行沉积扩散。
3.根据权利要求1所述的磷掺杂方法,其特征在于,所述分步沉积扩散步骤分至少三步沉积扩散进行。
4.根据权利要求1所述的磷掺杂方法,其特征在于,所述分步沉积扩散步骤分三步沉积扩散,三步所述沉积扩散按照以下条件进行:
第一步沉积扩散:所述POCl3与所述O2的总流量为1000~2000sccm,按体积比POCl3:O2=6:1~10:1,所述沉积扩散的时间为3~15分钟;
第二步沉积扩散:所述POCl3与所述O2的总流量为800~1500sccm,按体积比POCl3:O2=4:1~6:1,所述沉积扩散的时间为3~15分钟;以及
第三步沉积扩散:所述POCl3与所述O2的总流量为400~1200sccm,按体积比POCl3:O2=2:1~4:1,所述沉积扩散的时间为3~15分钟。
5.根据权利要求4所述的磷掺杂方法,其特征在于,三步所述沉积扩散按照以下条件进行:
第一步沉积扩散:所述POCl3与所述O2的总流量为1400~1800sccm,按体积比POCl3:O2=7:1~9:1,所述沉积扩散的时间为5~10分钟;
第二步沉积扩散:所述POCl3与所述O2的总流量为1100~1300sccm,按体积比POCl3:O2=4.5:1~5.5:1,所述沉积扩散的时间为5~10分钟;以及
第三步沉积扩散:所述POCl3与所述O2的总流量为600~800sccm,按体积比POCl3:O2=2.5:1~3.5:1,所述沉积扩散的时间为5~10分钟。
6.根据权利要求5所述的磷掺杂方法,其特征在于,三步所述沉积扩散按照以下条件进行:
第一步沉积扩散:所述POCl3与所述O2的总流量为1600sccm,按体积比POCl3:O2=8:1,所述沉积扩散的时间为8分钟;
第二步沉积扩散:所述POCl3与所述O2的总流量为1200sccm,按体积比POCl3:O2=5:1,所述沉积扩散的时间为8分钟;以及
第三步沉积扩散:所述POCl3与所述O2的总流量为600sccm,按体积比POCl3:O2=3:1,所述沉积扩散的时间为8分钟。
7.根据权利要求1所述的磷掺杂方法,其特征在于,将所述待掺杂硅片升温至840℃~870℃,优选升温至860℃。
8.一种磷掺杂硅片,其特征在于,采用权利要求1至7中任一项所述的磷掺杂方法制作而成。
9.一种太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括磷掺杂硅片制作p-n结步骤,所述磷掺杂硅片制作p-n结步骤采用权利要求1至7中任一项所述的磷掺杂方法进行。
10.一种太阳能电池片,其特征在于,采用权利要求9中所述的太阳能电池的制作方法制作而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的