[发明专利]用于液晶显示装置的阵列基板有效
申请号: | 201310611261.2 | 申请日: | 2013-11-26 |
公开(公告)号: | CN104133312A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 郑义显;李正一;金可卿 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 液晶 显示装置 阵列 | ||
1.一种用于液晶显示装置的阵列基板,该阵列基板包括:
基板,具有显示区域和包围该显示区域的非显示区域;
所述基板上的选通线以及第一数据线和第二数据线,所述选通线平行于水平方向,所述第一数据线和所述第二数据线彼此间隔开并平行于竖直方向,所述选通线与所述第一数据线和所述第二数据线交叉,以限定在所述显示区域中沿着竖直方向设置的第一像素区域和第二像素区域;
分别位于所述第一像素区域和所述第二像素区域中的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管连接至所述选通线和所述第一数据线,所述第二薄膜晶体管连接至所述选通线和所述第二数据线;
位于所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上的平面化层,该平面化层具有用于暴露所述第一薄膜晶体管的漏电极和所述第二薄膜晶体管的漏电极这二者的漏接触孔;以及
所述平面化层上的像素电极和公共电极,该像素电极和该公共电极在所述第一像素区域和所述第二像素区域中彼此交叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管被设置为与所述选通线相邻。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述像素电极形成在所述第一像素区域和所述第二像素区域中的每一个中,并且通过所述漏接触孔连接至所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中的每一个的所述漏电极。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述公共电极形成在整个所述显示区域中,并且具有用于暴露所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的第一开口。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其中,钝化层形成在所述公共电极上,并且所述像素电极形成在所述钝化层上,并且其中,所述像素电极具有各自具有条状的多个第二开口。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其中,所述钝化层具有漏暴露孔,该漏暴露孔暴露所述漏接触孔中的、所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中的每一个的所述漏电极。
7.根据权利要求4所述的阵列基板,其中,钝化层形成在所述像素电极上,并且所述公共电极形成在所述钝化层上,并且其中,所述公共电极具有各自具有条状的多个第二开口。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中的每一个包括:
多晶硅的半导体层;
所述半导体层上的栅绝缘层;
所述半导体层上的所述栅绝缘层上的栅电极;
所述栅电极上的层间绝缘层,该层间绝缘层具有用于暴露所述半导体层的半导体接触孔;以及
彼此间隔开的源电极和所述漏电极,所述源电极和所述漏电极通过所述半导体接触孔连接至所述半导体层。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其中,所述栅电极包括与所述半导体层交叉并且彼此间隔开的第一栅电极和第二栅电极。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,其中,所述第一栅电极包括所述选通线的一部分,并且所述第二栅电极从所述选通线突出。
11.根据权利要求10所述的阵列基板,其中,所述源电极包括所述第一数据线和所述第二数据线中的每一个的一部分,并且所述半导体层的一部分被设置在所述源电极下方以与所述源电极交叠。
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