[发明专利]负极和二次电池有效
| 申请号： | 201310611544.7 | 申请日： | 2008-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103730627B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 广瀬贵一;川瀬贤一;小西池勇;仓泽俊佑;岩间正之;松元浩一 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/02 | 分类号： | H01M4/02;H01M4/38;H01M10/05 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 贾静环 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 负极 二次 电池 | ||
1.一种负极，包括：
负极集电体；及
布置在负极集电体上的负极活性物质层，
其中该负极活性物质层包含负极活性物质，该负极活性物质含有硅(Si)，并包含直径为3～50nm且包括两个端点的孔隙的群，及
按每单位重量的硅计，该直径为3～50nm且包括两个端点的孔隙的群的容积为0.2cm3/g或更小，该容积是利用水银孔隙率计通过水银孔隙率法测量的。
2.根据权利要求1的负极，其中
按每单位重量的硅计，该直径为3～50nm且包括两个端点的孔隙的群的容积为0.05cm3/g或更小。
3.根据权利要求1的负极，其中
按每单位重量的硅计，该直径为3～50nm且包括两个端点的孔隙的群的容积为0cm3/g。
4.根据权利要求1的负极，其中
按每单位重量的硅计，直径为3～20nm且包括两个端点的孔隙的群的容积为0.2cm3/g或更小，该容积是利用水银孔隙率计通过水银孔隙率法测量的。
5.根据权利要求4的负极，其中
按每单位重量的硅计，该直径为3～20nm且包括两个端点的孔隙的群的容积为0.05cm3/g或更小。
6.根据权利要求4的负极，其中
按每单位重量的硅计，该直径为3～20nm且包括两个端点的孔隙的群的容积为0cm3/g。
7.根据权利要求1的负极，其中
所述负极活性物质层的孔隙中包含含氧化物的膜。
8.根据权利要求7的负极，其中
所述含氧化物的膜包含至少一种选自下列的氧化物：硅的氧化物、锗(Ge)的氧化物、及锡(Sn)的氧化物。
9.根据权利要求7的负极，其中
所述含氧化物的膜是通过液相沉积法、溶胶-凝胶法、涂布法或浸涂法形成的。
10.根据权利要求1的负极，其中
所述负极活性物质层包括不与孔隙中的电极反应物形成合金的金属材料。
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