[发明专利]软性显示器组件的制作方法及其制作的软性显示器组件有效
| 申请号： | 201310611655.8 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103606535A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 胡国仁 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 软性 显示器 组件 制作方法 及其 制作 | ||
1.一种软性显示器组件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供软性基底（22）；
步骤2、在该软性基底（22）上形成石墨烯层（24）；
步骤3、在石墨烯层（24）上形成保护层（26）；
步骤4、在保护层（26）上形成低温多晶硅层（28）。
2.如权利要求1所述的软性显示器组件的制作方法，其特征在于，所述软性基底（22）由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、或聚酰亚胺制成。
3.如权利要求1所述的软性显示器组件的制作方法，其特征在于，所述石墨烯层（24）通过微波化学气相沉积、转移或旋涂工艺形成于所述软性基底（22）上，所述石墨烯层（24）厚度为10nm-100nm。
4.如权利要求1所述的软性显示器组件的制作方法，其特征在于，所述保护层（26）包括氮化硅层（262）、氧化硅层（264）至少一层。
5.如权利要求1所述的软性显示器组件的制作方法，其特征在于，所述低温多晶硅层（28）通过非晶硅层经由退火工艺形成，再通过掺杂、激光活化工艺处理。
6.一种软性显示器组件，其特征在于，包括：软性基底（22）、形成于软性基底（22）上的石墨烯层（24）、形成于石墨烯层（24）上的保护层（26）及形成于保护层（26）上的低温多晶硅层（28）。
7.如权利要求6所述的软性显示器组件，其特征在于，所述软性基底（22）由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、或聚酰亚胺制成。
8.如权利要求6所述的软性显示器组件，其特征在于，所述石墨烯层（24）通过微波化学气相沉积、转移或旋涂工艺形成于所述软性基底（22）上，所述石墨烯层（24）厚度为10nm-100nm。
9.如权利要求6所述的软性显示器组件，其特征在于，所述保护层（26）包括氮化硅层（262）、氧化硅层（264）至少一层。
10.如权利要求6所述的软性显示器组件，其特征在于，所述低温多晶硅层（28）通过非晶硅层经由退火工艺形成，再通过掺杂、激光活化工艺处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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