[发明专利]晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成界面层；

在所述界面层上形成高K栅介质层；

在所述高K栅介质层上形成帽盖层；

在所述帽盖层上形成金属栅极；

在形成帽盖层之后，对所述界面层和所述高K栅介质层进行无氧致密化处理。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述无氧致密化处理为激光退火工艺。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述激光退火工艺在惰性气体或者氮气的气氛中进行，所述激光退火工艺的退火时间范围为0.25毫秒～1毫秒，所述激光退火工艺的退火温度范围为600℃～1100℃。

4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述激光退火工艺采取固定激光光斑且移动半导体衬底的方式进行，所述激光光斑为长为5mm～8mm且宽为125μm的长方形，或者所述激光光斑为长为8mm～12mm且宽为75μm的长方形。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述高K栅介质层上形成所述帽盖层之后，且在对所述界面层和所述高K栅介质层进行无氧致密化处理之前，还包括：在所述帽盖层上形成伪栅极。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，在所述帽盖层上形成所述伪栅极之后，且在对所述界面层和所述高K栅介质层进行无氧致密化处理之前，还包括：去除所述伪栅极。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述界面层的材料为二氧化硅或者含氮二氧化硅，厚度范围为

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述高K栅介质层的材料为氧化铪、氧化铪硅、氮氧化铪硅、氧化镧、氧化锆、氧化锆硅、氧化钛、氧化钽、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛或氧化铝中的一种或者多种，厚度范围为

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述帽盖层的材料为氮化钛、氮化铊和氮化钨中的一种或者多种，厚度范围为

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底表面具有氧化层，在所述半导体衬底上形成界面层之前，还包括步骤：去除所述氧化层直至暴露出所述半导体衬底表面。