[发明专利]一种用于蓄电池的充电保护电路无效

专利信息
申请号: 201310612514.8 申请日: 2013-11-28
公开(公告)号: CN103683394A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 黄友华 申请(专利权)人: 成都市宏山科技有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02H7/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 蓄电池 充电 保护 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及蓄电池保护领域,更具体的说是涉及一种用于蓄电池的充电保护电路。

背景技术

蓄电池是一种将化学能转化为电能的一种装置,通过可逆的化学反应实现再充电。蓄电池在很多的设备中都有使用,其为很多设备的主要的备用电源,其和220V交流电源互为冗余电源。在对电源进行充电时,若过度充电或蓄电池一直处于充电状态,将会对蓄电池的使用寿命造成损失。

发明内容

本发明提供一种用于蓄电池的充电保护电路,其电路结构简单,可对蓄电池进行过冲保护,延长蓄电池的使用寿命。

为解决上述的技术问题,本发明采用以下技术方案:

一种用于蓄电池的充电保护电路,它包括蓄电池和连接在蓄电池上的保护电路,所述的保护电路包括三极管,所述的三极管的发射极通过电阻R3连接在蓄电池的正极上,所述的三极管的基极通过电阻R2与二极管D1的阳极相连,所述的二极管D1的阴极连接在蓄电池的正极上,所述的三极管的集电极通过电阻R4连接在可控硅VS1的控制极上且三极管的集电极连接在可控硅VS2的阳极上,所述的可控硅VS2的阴极连接在可控硅VS1的阴极上,所述的可控硅VS1的阳极通过电阻R1连接在二极管D1的阳极上,所述的三极管的基极还连接在二极管D2的阳极上,所述的二极管D2的阴极连接在可控硅VS2的控制极上,所述的三极管为PNP型三极管。

更进一步的技术方案是:

作为优选,所述的电阻R1的阻值大于电阻R4的阻值。

进一步的,所述的可控硅VS1和可控硅VS2均为CR03AM-8。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:

1、本发明的保护电路可对蓄电池进行过冲保护,延长蓄电池的使用寿命。

2、本发明的电路结构简单,其由三极管、电阻、可控硅和二极管构成,其成本低,可达到低成本要回报的目的。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

图1为本发明的保护电路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步的说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。

[实施例]

如图1所示的一种用于蓄电池的充电保护电路,它包括蓄电池和连接在蓄电池上的保护电路,所述的保护电路包括三极管,所述的三极管的发射极通过电阻R3连接在蓄电池的正极上,所述的三极管的基极通过电阻R2与二极管D1的阳极相连,所述的二极管D1的阴极连接在蓄电池的正极上,所述的三极管的集电极通过电阻R4连接在可控硅VS1的控制极上且三极管的集电极连接在可控硅VS2的阳极上,所述的可控硅VS2的阴极连接在可控硅VS1的阴极上,所述的可控硅VS1的阳极通过电阻R1连接在二极管D1的阳极上,所述的三极管的基极还连接在二极管D2的阳极上,所述的二极管D2的阴极连接在可控硅VS2的控制极上,所述的三极管为PNP型三极管。在本发明中,保护电路连接在蓄电池上,对蓄电池的过冲进行保护。当蓄电池的充电电压达到一定值时,二极管D1击穿导通,三极管反偏截止,二极管D2导通,即触发可控硅VS2导通,电阻R4上的电压加至可控硅VS2控制极使的可控硅VS1截止,以此对蓄电池进行过冲保护。当蓄电池使用一段时间后,蓄电池的电压低于一定值时,二极管D1截止,三极管导通,电流经电阻R4触发可控硅VS1导通,充电回路又开始连通,蓄电池又回到充电状态。以此可避免蓄电池过冲或者处于一直充电的状态,对蓄电池进行保护,延长蓄电池的使用寿命。

为了进一步的增强保护电路的可靠性,所述的电阻R1的阻值大于电阻R4的阻值。电阻R4连接在三极管的发射极和可控硅VS1的控制极上,其为三极管的发射极提供压降,电阻R1的连接在二极管D1和可控硅VS1之间即三极管基极和可控硅VS1之间,其为三极管提供基极电压,因此电阻R1的阻值大于电阻R4的阻值可有效保障该电路对过冲保护可靠性,即保证电路正常运行。

为了提高保护电路的灵敏度,该所述的可控硅VS1和可控硅VS2均为CR03AM-8。在整个电路中,利用可控硅VS1和可控硅VS2的导通和截止来对蓄电池进行保护,其可控硅VS1和可控硅VS2的灵敏度关系着整个电路的灵敏度,CR03AM-8为微触发器,灵敏度高,运用在该保护电路中可提高保护电路的灵敏度。

如上所述即为本发明的实施例。本发明不局限于上述实施方式,任何人应该得知在本发明的启示下做出的结构变化,凡是与本发明具有相同或相近的技术方案,均落入本发明的保护范围之内。

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