[发明专利]一种用于优化半导体工艺条件的气体注入管无效
| 申请号： | 201310613010.8 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103646902A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 张召;王智;苏俊铭;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 优化 半导体 工艺 条件 气体 注入 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于优化半导体工艺条件的气体注入管，应用于炉管中，其特征在于，所述气体注入管为由下到上管路直径逐渐增大的管道，且所述注入管的管壁设置有若干毛细孔；其中，所述毛细孔由下而上分布的密度逐渐增大，且位于上方的所述毛细孔的孔径大于位于下方的所述毛细孔的孔径。
2.根据权利要求1所述用于优化半导体工艺条件的气体注入管，其特征在于，所述注入管为从下往上气体管开口逐渐变大的梯形构造。
3.根据权利要求1所述用于优化半导体工艺条件的气体注入管，其特征在于，所述毛细孔由下到上逐渐变大且逐渐变多。
4.根据权利要求1所述用于优化半导体工艺条件的气体注入管，其特征在于，气体通过所述注入管由下而上从所述毛细孔到达晶舟，所述毛细管随着管径增大而增多且所述毛细管的之间也随之增大，到达所述晶舟的气体也越多，从而使得晶舟周围的浓度从上到下均一致。
5.根据权利要求4所述用于优化半导体工艺条件的气体注入管，其特征在于，所述注入管可以使到达晶舟周围的气体温度一致。
6.根据权利要求4所述用于优化半导体工艺条件的气体注入管，其特征在于，所述注入管注入的气体使得晶舟上晶圆形成的膜的性质及其厚度均一致。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
