[发明专利]具有超陡逆行阱的体鳍片FET及其制造方法

权利要求书

1.一种用体衬底形成鳍片晶体管的方法，包括： 

在体衬底中或上形成超陡逆行阱（SSRW），所述阱包括第一导电类型掺杂剂的掺杂部分并且在所述体衬底中在未掺杂层之下形成，所述SSRW在对应于鳍片结构的位置之下形成； 

在所述未掺杂层之上生长鳍片材料； 

从所述鳍片材料形成所述鳍片结构； 

在所述鳍片结构之上形成栅极结构；以及 

形成邻近所述鳍片结构的源极和漏极区域以形成鳍片场效应晶体管。 

2.根据权利要求1的方法，其中形成超陡逆行阱（SSRW）包括外延生长所述SSRW以包括至少一个扩散阻挡层。 

3.根据权利要求2的方法，其中在所述未掺杂层中形成所述至少一个扩散阻挡层。 

4.根据权利要求1的方法，其中所述掺杂部分包括高掺杂接地面。 

5.根据权利要求1的方法，其中在所述体衬底中或上形成的扩散阻挡层上生长所述掺杂部分。 

6.根据权利要求1的方法，其中所述掺杂部分包括晶体结构，其被配置为防止所述第一导电类型掺杂剂的向外扩散。 

7.根据权利要求6的方法，其中所述晶体结构包括SiC并且所述第一导电类型掺杂剂包括B和P中的一种。 

8.根据权利要求6的方法，其中所述晶体结构包括SiGe并且所述第一导电类型掺杂剂包括B。 

9.根据权利要求1的方法，还包括在所述SSRW之上形成蚀刻停止层以增加所述未掺杂层并且为所述鳍片的形成提供蚀刻停止。 

10.一种用体衬底形成鳍片晶体管的方法，包括： 

在所述体衬底上生长延伸区域； 

在所述体衬底中形成窄沟槽隔离区域以分离器件区域； 

掩蔽第一器件区域以在所述延伸区域中形成第一超陡逆行阱（SSRW），所述第一SSRW包括在所述延伸区域的未掺杂部分之下的掺杂部分； 

不掩蔽所述第一器件区域并且掩蔽第二器件区域以形成第二SSRW，所述第二SSRW包括在所述延伸区域的未掺杂部分之下的掺杂部分，其中在所述第二SSRW中的掺杂具有与所述第一SSRW相反的极性。 

不掩蔽所述第二器件区域； 

在所述第一和第二SSRW之上生长鳍片材料； 

从所述鳍片材料形成鳍片结构，所述鳍片材料在各自的器件区域中掺杂有导电类型与在各自的鳍片结构之下的所述SSRW的掺杂剂相反的掺杂剂； 

在所述鳍片结构上形成栅极叠层；以及 

形成邻近所述鳍片结构的源极和漏极区域以形成N-型和P-型鳍片场效应晶体管。 

11.根据权利要求10的方法，其中所述SSRW包括至少一个扩散阻挡层。 

12.根据权利要求10的方法，其中所述SSRW包括在所述掺杂部分中的高掺杂接地面。 

13.根据权利要求10的方法，其中所述延伸区域包括晶体结构，其被配置为防止掺杂剂从其中向外扩散。 

14.根据权利要求13的方法，其中所述晶体结构包括SiC并且所述第一导电类型掺杂剂包括B和P中的一种。 

15.根据权利要求13的方法，其中所述晶体结构包括SiGe并且所述第一导电类型掺杂剂包括B。 

16.根据权利要求10的方法，还包括在所述第一和第二SSRW上形成蚀刻停止层以增加所述未掺杂层并且为所述鳍片的形成提供蚀刻停止。 

17.根据权利要求10的方法，其中所述延伸区域包括在所述第一器件区域中的不同于所述第二器件区域的材料； 

18.根据权利要求10的方法，其中形成鳍片结构包括采用定时蚀刻来蚀刻所述鳍片材料以便在所述第一和第二SSRW上的所述未掺杂层包括所述鳍片材料的一部分。