[发明专利]包括耦合至解耦合器件的半导体器件的装置

权利要求书

1.一种装置，包括：

印刷电路板；

半导体器件，耦合到所述印刷电路板；以及

解耦合器件，耦合到所述印刷电路板并且定位于所述半导体器件之下。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述解耦合器件直接定位于所述半导体器件之下。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述半导体器件位于所述印刷电路板的表面上，并且所述解耦合器件位于所述印刷电路板的相对表面上，所述半导体器件的外部接触通过穿过所述印刷电路板的过孔耦合至所述解耦合器件。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述半导体器件包括形成所述半导体器件的外部接触的至少一部分的金属柱，所述外部接触通过所述印刷电路板耦合至所述解耦合器件。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述半导体器件包括：

半导体裸片，形成有形成横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件的多个LDMOS单元；

重分布层，电耦合至所述多个LDMOS单元；以及

多个金属柱，分布于在所述重分布层之上并且电耦合至所述重分布层。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述半导体器件包括形成于所述重分布层之下的金属层，所述金属层包括多个交替的源极金属带和漏极金属带，所述多个交替的源极金属带和漏极金属带形成于所述半导体裸片的衬底上方，并且与所述LDMOS器件的多个源极区域和漏极区域中的相应源极区域和漏极区域平行并且形成电接触。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述半导体器件包括：

半导体裸片，形成有形成LDMOS器件的多个LDMOS单元；

金属层，电耦合至所述多个LDMOS单元；以及

多个栅极驱动器，沿着所述半导体裸片的外围定位并且通过所述金属层电耦合至所述多个LDMOS单元的栅极。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述半导体器件包括栅极金属带，所述栅极金属带形成于所述金属层中，并且与所述多个LDMOS单元的所述栅极垂直定向并且电耦合。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述半导体器件的外部接触中的外部接触耦合至形成于所述半导体器件内的LDMOS器件的多个LDMOS单元的漏极或者源极。

10.一种形成装置的方法，包括：

提供印刷电路板；

将半导体器件耦合至所述印刷电路板；并且

将解耦合器件在所述半导体器件之下耦合至所述印刷电路板。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括将所述半导体器件耦合于所述印刷电路板的表面上并且将所述解耦合器件耦合于所述印刷电路板的相对表面上，所述半导体器件的外部接触通过穿过所述印刷电路板的过孔耦合至所述解耦合器件。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述半导体器件包括形成所述半导体器件的外部接触的至少一部分的金属柱，并且所述方法还包括将所述外部接触通过所述印刷电路板耦合至所述解耦合器件。

13.根据权利要求10所述的方法，还包括形成所述半导体器件，包括：

在半导体裸片中形成横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件的多个LDMOS单元；

将重分布层耦合至所述多个LDMOS单元；并且

在所述重分布层之上分布多个金属柱并且将所述多个金属柱耦合至所述重分布层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述半导体器件包括在所述重分布层之下形成金属层，所述金属层包括多个交替的源极金属带和漏极金属带，所述多个交替的源极金属带和漏极金属带形成于所述半导体裸片的衬底上方，并且与所述LDMOS器件的多个源极区域和漏极区域中的相应源极区域和漏极区域平行并且形成电接触。

15.根据权利要求10所述的方法，还包括形成所述半导体器件，包括：

在半导体裸片中形成LDMOS器件的多个LDMOS单元；

将金属层耦合至所述多个LDMOS单元；

沿着所述半导体裸片的外围定位多个栅极驱动器；并且

通过所述金属层将所述多个LDMOS单元的栅极耦合至所述多个栅极驱动器。