[发明专利]铟锆酸盐发光薄膜、电致发光器件及二者的制备方法

权利要求书

1.一种铟锆酸盐发光薄膜，其特征在于，所述铟锆酸盐发光薄膜的化学式为MeIn₂Zr₂O₈：xCe³⁺；其中，

MeIn₂Zr₂O₈为基质，Ce³⁺为发光离子，x的取值范围为0.01~0.06，Me为 Mg、Ca、Sr或Ba中的任意一种。

2.根据权利要求1所述的铟锆酸盐发光薄膜，其特征在于，x为0.03。

3.根据权利要求1所述的铟锆酸盐发光薄膜，其特征在于，所述铟锆酸盐发光薄膜的厚度为80nm~300nm。

4.一种铟锆酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 

（1）将一衬底放入金属有机化合物化学气相沉积设备的反应室中，将所述反应室的真空度调整为1.0×10^-3Pa~1.0×10^-2Pa，将所述衬底先进行热处理温度为650℃~850℃的热处理10~30分钟，然后将所述衬底的温度降低到250℃~650℃；

（2）打开所述反应室的旋转电机，将所述反应室的衬底托的转速调整为50~1000转/分，将含有有机源的载气先通入所述反应室中，将所述载气的气体流量调整为5 sccm ~15sccm，再将后通入所述反应室中的氧气的气体流量调整为10 sccm ~200sccm；其中，

所述有机源包括摩尔比为1：2：2：x的二(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)碱土金属、三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铟、四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)锆及四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铈；x的取值范围为0.01~0.06；碱土金属为 Mg、Ca、Sr或Ba中的任意一种；

（3）待所述铟锆酸盐发光薄膜的厚度沉积至80nm~300nm时，停止向所述反应室通入含有所述有机源的所述载气，仍继续向所述反应室通入所述氧气，待所述反应室的温度降低到70℃~100℃时，即得化学式为MeIn₂Zr₂O₈：xCe³⁺的所述铟锆酸盐发光薄膜；其中，

MeIn₂Zr₂O₈为基质，Ce³⁺为发光离子，x的取值范围为0.01~0.06，Me为 Mg、Ca、Sr或Ba中的任意一种。

5.根据权利要求4所述铟锆酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底的热处理温度为700℃，热处理时间为20分钟，所述衬底的温度降低到500℃，所述衬底托的转速为300转/分，所述真空度为4.0×10^-3Pa，所述载气为氩气，所述氩气的气体流量为10sccm，所述氧气的气体流量为120sccm，所述反应室的温度降低到90℃。

6.一种电致发光器件，所述电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层及阴极层，其特征在于，所述发光层的材质为化学式为MeIn₂Zr₂O₈：xCe³⁺的所述铟锆酸盐发光薄膜，其中，MeIn₂Zr₂O₈为基质，Ce³⁺为发光离子，x的取值范围为0.01~0.06，Me为 Mg、Ca、Sr或Ba中的任意一种。

7.根据权利要求6所述的电致发光器件，其特征在于，所述的铟锆酸盐发光薄膜的厚度为80nm~300nm。