[发明专利]高硅铝合金材料的制备方法

说明书

 

技术领域

本发明涉及一种合金材料的制备方法，具体涉及一种高硅铝合金材料的制备方法。

 

背景技术

高硅铝合金电子封装材料具有密度小，热膨胀系数低，热传导性能良好，强度和刚度高，与金、银、铜、镍可镀，与基材可焊，易于精密机加工、无毒等优越性能，符合电子封装技术朝小型化、轻易化、高密度组装化方向发展的要求。高硅铝合金材料常用的制备方法有熔铸法、粉末冶金烧结法、喷射沉积及溶渗法锭坯制备技术和热挤压、半固态挤压、热锻造等加工成形技术。快速凝固技术与粉末冶金技术相结合是目前制备过共晶高硅铝合金应用最广泛的技术之一，但提高硅含量非常困难，在硅铝合金粉末的制备中，成分误差随硅含量增加而增大，成分难以准确控制，且随硅含量增加，材料加工脆性增大，难以加工成形。

 

发明内容

本发明的目的在于，提供一种高硅铝合金材料的制备方法，经高温充氧氧化后，增加材料的致密度，提高气密性，而且提高材料的热导率。

所述高硅铝合金材料的制备方法，包括以下步骤：

一、在熔炼温度为1000℃、保温时间为1h、喷嘴孔径为3.5mm的条件下，制备合金粉末；

二、将上述所得合金粉末经初装、振实装入纯铝包套，用真空泵抽去包套内气体后，封闭焊合包套，加热至550℃，保温3h，用1500t的挤压机挤压制得合金材料；

三、将上述所得合金材料在温度为440℃、充氧压力为0.7MPa条件下，进行高温充氧氧化84h，即得高硅铝合金材料。

本发明提供的高硅铝合金材料的制备方法，其有益效果在于，经高温充氧氧化后，所得材料致密度明显增加，提高了气密性，而且提高了材料的热导率。

 

具体实施方式

下面结合一个实施例，对本发明提供的高硅铝合金材料的制备方法进行详细的说明。

 

实施例

一、在熔炼温度为1000℃、保温时间为1h、喷嘴孔径为3.5mm的条件下，制备合金粉末；

二、将上述所得合金粉末经初装、振实装入纯铝包套，用真空泵抽去包套内气体后，封闭焊合包套，加热至550℃，保温3h，用1500t的挤压机挤压制得合金材料；

三、将上述所得合金材料在温度为440℃、充氧压力为0.7MPa条件下，进行高温充氧氧化84h，即得高硅铝合金材料。