[发明专利]一种高速恒流自动清零的CMOS比较器在审
申请号: | 201310613634.X | 申请日: | 2013-11-27 |
公开(公告)号: | CN103618526A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 苏州贝克微电子有限公司 |
主分类号: | H03K5/24 | 分类号: | H03K5/24 |
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地址: | 215011 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高速 自动 清零 cmos 比较 | ||
1.一种高速恒流自动清零的CMOS比较器,其特征是:一个电压比较电路包括增益部分,包括有一个共同的栅极输入端和一个共同的漏极输出端的第一对CMOS晶体管,包括第二对CMOS晶体管,并且它的一个共同的栅极和一个共同的漏极相互连接作为负载,连接到上述第一对CMOS晶体管的漏极输出端。其中,第一对CMOS晶体管和第二对CMOS晶体管在相同电源端间可连接,使得在零电压输入下,通过第一对CMOS晶体管的电流至少是通过第二对CMOS晶体管的电流的两倍,第一对CMOS晶体管的输出端和第二对CMOS晶体管的栅极和漏极连接在一起。
2.根据权利要求1所述的一种高速恒流自动清零的CMOS比较器,其特征是:在零电压输入下,通过第一对CMOS晶体管的电流大约是通过第二对CMOS晶体管的电流的2.5倍。
3.根据权利要求1所述的一种高速恒流自动清零的CMOS比较器,其特征是:电压比较电路包括:至少有一个输入端接收电压进行比较;至少有一个自动清零放大级,包括有一个共同的栅极和一个共同的漏极的第一对CMOS晶体管,有一个共同的栅极和一个共同的漏极的第二对CMOS晶体管;第一,第一对CMOS晶体管的漏极和第二对CMOS晶体管的栅极和漏极相互连接,至少有一个上述的自动清零放大级,包括反馈在内,用来选择性地清零至少一个上述放大级的一个输出端;第二,至少一个输入端和第一对CMOS晶体管的栅极电容耦合;第三,第二对CMOS晶体管的漏极和上述输出端耦合。
4.根据权利要求3所述的一种高速恒流自动清零的CMOS比较器,其特征是:至少有一个自动清零放大级包括多个串联的放大级,通过上述反馈回路可选择性地把最后一个放大器的输出级连接到第一个放大级的输入级。
5.根据权利要求3所述的一种高速恒流自动清零的CMOS比较器,其特征是:电路包括一个放大级。
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