[发明专利]背照式CMOS影像传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201310613804.4 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103594479A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 费孝爱;高喜峰 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背照式 cmos 影像 传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种背照式CMOS影像传感器，其特征在于，包括：
半导体基底，形成于所述半导体基底中的光电二极管及隔离结构；
遮光金属层，所述遮光金属层靠近所述半导体基底的背面；
引线，所述引线与所述遮光金属层电相连，所述引线位于所述半导体基底中靠近所述遮光金属层的一侧。
2.如权利要求1所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述半导体基底与遮光金属层之间还包括一层间介质层，所述层间介质层中形成有通孔，一互连线贯穿所述通孔与所述遮光金属层和引线相连接。
3.如权利要求2所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述遮光金属层及互连线的材料为金属铝或金属钨。
4.如权利要求1所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述引线在半导体基底正面的投影边长为0.2～0.5um，所述引线距离所述半导体基底正面的距离为2.1～3um。
5.如权利要求1所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述遮光金属层上还依次形成有滤光片及微透镜，所述半导体基底的正面形成有金属连线层。
6.一种背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底具有正面与背面；
在所述半导体基底的背面中形成引线；
在所述半导体基底的背面上形成遮光金属层，所述遮光金属层与所述引线电相连。
7.如权利要求6所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，所述引线在半导体基底正面的投影边长为0.2～0.5um，所述引线距离所述半导体基底正面的距离为2.1～3um。
8.如权利要求7所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，在所述半导体基底的背面中形成引线包括：
刻蚀所述半导体基底的背面，以形成通孔；
在所述半导体基底的背面形成一金属层，所述金属层完全填充所述通孔；
去除所述金属层位于所述半导体基底背面之上的部分，以形成引线。
9.如权利要求8所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，在所述半导体基底的背面中形成引线之后，在所述半导体基底的背面上形成遮光金属层之前，还包括：
在所述半导体基底的背面上形成一层间介质层，刻蚀所述层间介质层形成通孔，所述通孔对应于所述引线；
在所述通孔中填充金属以形成互连线，用于连通所述引线和遮光金属层。
10.如权利要求9所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，在形成所述遮光金属层后，还包括：
在所述遮光金属层上形成滤光片；
在所述滤光片上形成微透镜；及
在所述半导体基底的正面形成金属连线层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
