[发明专利]干式积层陶瓷电容器的漏电流特性改善方法

权利要求书

1.干式积层陶瓷电容器的漏电流特性改善方法，包括以下步骤：

S1：晶片准备阶段;

S2:指定晶片上的电极层和电介层的积层层数阶段;

S3：在晶片上形成初始绝缘层的阶段；

S4：在初始绝缘层上形成电极层的阶段；

S5：在电极层上形成电介层的阶段；

S6：电极层和电介层反复实施积层的阶段；

S7：积层后，电极层和电介层热处理的阶段；

S8：热处理后形成保护层的阶段；

S9：形成保护层后，晶片背面研磨阶段；

S10：晶片背面研磨后以芯片形态切割阶段；

S11：切割后的芯片形成外部电极的阶段。

2.根据权利要求1所述的干式积层陶瓷电容器的漏电流特性改善方法，其特征在于：所述的电极层是从下至上由下部扩散防止膜（3）、电极膜(4)以及上部扩散防止膜(5)层叠组成。

3.根据权利要求2所述的干式积层陶瓷电容器的漏电流特性改善方法，其特征在于：所述电极层形成时，利用扩散防止膜和电极膜的层覆盖性差距，改善漏电流特性。

4.根据权利要求2或3所述的干式积层陶瓷电容器的漏电流特性改善方法，其特征在于：电极膜(4)的边缘被扩散防止膜完全封住。

5.根据权利要求2或3所述的干式积层陶瓷电容器的漏电流特性改善方法，其特征在于：电极膜蒸镀腔室按结构先把基板和溅镀材料间的距离加长，蒸镀度条件是在产生等离子时所需的最少量的氩气量和电功率，目的是为了使电极膜阶梯覆盖率不良，并且扩散防止膜腔室结构根据基板和溅镀材料之间距离紧密，通过基板旋转的方式加强覆盖性，由此可以对扩散防止膜中间的电极膜起到完全封闭的作用。

6.根据权利要求1所述的干式积层陶瓷电容器的漏电流特性改善方法，其特征在于：所述的电介层的为多种氧化膜构成的非结晶复合电介层。

7.根据权利要求1所述的干式积层陶瓷电容器的漏电流特性改善方法，其特征在于：所述的采用使电介层中的薄膜不形成结晶为手段，改善漏电流特性。

8.根据权利要求6或7所述的干式积层陶瓷电容器的漏电流特性改善方法，其特征在于：电介层的复合膜形成时，电介膜蒸镀按超过温度的差距分开蒸镀。

9.根据权利要求8所述的干式积层陶瓷电容器的漏电流特性改善方法，其特征在于：所述的超过温度差距时指热处理温度和结晶化温度之差。