[发明专利]半导体光接收装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光接收装置。

背景技术

以往，已知例如像在日本特开2006-253676号公报中所公开的那样，对被称为干部（stem）或头部（header）的固定构件设置凹部，在该凹部内装载有电子部件的半导体光接收装置。具体地说，该公报的半导体光接收装置在干部上装载有半导体光接收元件和前置放大器IC。干部的主面中的装载有这些光接收元件和前置放大器IC的装载区域与其它区域相比低一级地形成。由此，能使从前置放大器IC的电极朝向干部表面的接合线（bonding wire）的长度变短。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-253676号公报；

专利文献2：日本实开平5-004534号公报；

专利文献3：日本特开2003-134051号公报。

发明要解决的课题

上述现有技术的半导体光接收装置采用所谓的CAN封装构造，对头部上表面进行引线接合（wire bonding）。在这样的情况下，不得不在头部上表面确保固定的空间，必须不可避免地较宽地获取头部上表面的区域。因此，存在不得不使头部上表面变大或降低电子部件的安装密度等问题。

发明内容

本发明是为了解决上述那样的课题而完成的，其目的在于，提供一种能减少对头部上表面的引线接合数的半导体光接收装置。

用于解决课题的方案

本发明提供了一种半导体光接收装置，其特征在于，具备：

头部；

高频放大器，设置在所述头部上，并且具有上表面，在该上表面具备高频接地焊盘（grounding pad）；

次黏着基台（submount），设置在所述头部上，并且具有上表面；以及

半导体光接收元件，设置在所述次黏着基台的上表面，所述半导体光接收元件比所述次黏着基台的上表面小，

所述次黏着基台的上表面具有接合所述半导体光接收元件的第一电极焊盘和设置在所述第一电极焊盘的旁边的第二电极焊盘，

所述高频接地焊盘与所述第二电极焊盘通过引线而被连接。

发明效果

根据本发明的半导体光接收装置，能利用次黏着基台的上表面比半导体光接收元件大的这一点，在次黏着基台的上表面中的空余空间设置高频接地用的电极焊盘。由此，能有效利用次黏着基台上表面的空间来确保高频接地用的引线连接，因此，能减少对头部上表面的引线接合数。

附图说明

图1是示出本发明实施方式的半导体光接收装置10的外观结构的图。

图2是示出本发明实施方式的半导体光接收装置10的内部结构的图。

图3是在箭头方向上观察图2的沿着X-X’线的截断构造的图。

图4是对本发明实施方式的半导体光接收装置10的次黏着基台SB等的周边结构进行放大后的立体上表面图。

图5是示出本发明实施方式的半导体光接收装置10的次黏着基台SB的上表面的结构的图。

图6是示出本发明实施方式的半导体光接收装置10的变形例的结构的图。

图7是示出本发明实施方式的半导体光接收装置10的变形例的结构的图。

图8是示出本发明实施方式的半导体光接收装置10的变形例的结构的图。

图9是示出本发明实施方式的变形例的半导体光接收装置90的图。

图10是图示了凹部100内的结构的立体上表面图。

图11是在箭头方向上观察图9的沿着X2-X2’线的截面构造的图。

图12是对图9的沿着B-B’线的截面构造中的高频放大器AMP附近进行放大后的图。

图13是在用切削加工设置了凹部100的情况下的对头部20的沿着B-B’线的截面构造的高频放大器AMP附近进行放大后的图。

图14是示出本发明实施方式的半导体光接收装置10所具备的次黏着基台SB的变形例的图。

图15是示出本发明实施方式的半导体光接收装置10所具备的次黏着基台SB的变形例的图。

图16是示出本发明实施方式的半导体光接收装置10所具备的次黏着基台SB的变形例的图。

图17是示出本发明实施方式的半导体光接收装置10所具备的次黏着基台SB的变形例的图。

图18是示出本发明实施方式的半导体光接收装置10所具备的次黏着基台SB的变形例的图。

图19是示出本发明实施方式的半导体光接收装置10所具备的次黏着基台SB的变形例的图。